據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)消息，11月30日消息，日本名古屋大學的宇治原徹教授等人開發(fā)出利用人工智能（AI）高精度制造新一代半導體使用的碳化硅（SiC）結晶的方法。這種方法能將結晶缺陷數(shù)量降至原來百分之一，提高半導體生產(chǎn)的成品率。2021年6月成立的初創(chuàng)企業(yè)計劃2022年銷售樣品，2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)介紹，采用SiC基板的半導體已在美國特斯拉部分主打純電動汽車“Model 3”中負責馬達控制等的逆變器上使用。豐田也在2020年底推出的燃料電池車“MIRAI”的新款車上采用電裝生產(chǎn)的SiC。
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