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芯生代項目獲1500萬元投資 涵蓋第三代半導體領域

2021-11-24
來源:全球半導體觀察整理

據溫州網報道,11月19日,世界青年科學家峰會創(chuàng)業(yè)基金(以下簡稱“青科基金”)在2021年溫州全球精英創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽總決賽上舉行項目投資簽約儀式。簽約儀式上,溫州芯生代科技有限公司(以下簡稱“芯生代”)項目、溫州星耀激光科技有限公司(以下簡稱“星耀激光”)項目、納百川控股有限公司項目三個項目共獲得青科基金3200萬元的投資。

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圖片來源:溫州網

報道顯示,本次青科基金所投資的項目中,芯生代和星耀激光均屬于科技成果轉化。其中,芯生代首席科學家鐘蓉博士團隊掌握了第三代半導體氮化鎵外延片及功率芯片制造的技術,目前國內市場處于應用產品發(fā)展初期,尚無成熟的氮化鎵外延和功率芯片產品,嚴重依賴國外進口,國產化意義重大。

報道稱,芯生代是一家專注硅(Si)基氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料及功率芯片研發(fā)生產一體化的企業(yè)。氮化鎵外延片已被列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一,是目前電子功率器件的主要寬禁帶半導體襯底材料,在5G通信、電動汽車、新能源、國防等領域具有明確且可觀的市場前景,是半導體產業(yè)重要的發(fā)展方向。

據了解,青峰基金投資了1500萬元支持芯生代項目產業(yè)化。目前項目已完成6英寸硅基氮化鎵外延片試產,制備出的GaN外延片鏡面效果優(yōu)異,覆蓋率達100%,良品率60%以上(按面積計算),半峰寬穩(wěn)定在450-500,品質完全達到并超越廠商使用標準。




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