Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲(chǔ)器，這也是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的FRAM系列產(chǎn)品。評(píng)估樣本目前已發(fā)布。

　　網(wǎng)址：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/parallel-8m-mb85r8m2ta.html

　　圖1—MB85R8M2TA封裝：

　　FRAM是一款非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品，具有高讀寫耐久性、高速寫入、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，已批量生產(chǎn)20多年。

　　網(wǎng)址：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/

　　MB85R8M2TA存儲(chǔ)器配有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V-3.6V的電源電壓范圍內(nèi)工作。新款FRAM在快頁模式下可實(shí)現(xiàn)25ns的訪問時(shí)間，因此在持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時(shí)的訪問速度可與SRAM相媲美。與Fujitsu的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，該存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了高速運(yùn)行（訪問速度提高約30%）和低功耗（工作電流減少10%）。這款存儲(chǔ)器IC是SRAM的理想替代產(chǎn)品，可用于需要高速運(yùn)行的工業(yè)機(jī)器。

　　圖2—FRAM用例：

　　圖3—電流比較：

　　從上述特點(diǎn)來看，新款8Mbit FRAM可在某些情況下省去SRAM所必需的數(shù)據(jù)備份電池，為客戶帶來好處。

　　圖4—用非易失性存儲(chǔ)器替換SRAM時(shí)會(huì)遇到的問題及解決方案：

　　Fujitsu Semiconductor Memory Solution致力于開發(fā)高性能產(chǎn)品，為可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)做出貢獻(xiàn)。例如，該公司在不斷開發(fā)低功耗FRAM產(chǎn)品。通過降低產(chǎn)品功耗，該公司旨在減少二氧化碳和溫室氣體排放。

　　Fujitsu將繼續(xù)滿足市場(chǎng)和客戶的需求和要求，同時(shí)開發(fā)環(huán)保型存儲(chǔ)產(chǎn)品。

　　Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited簡(jiǎn)介

　　Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited專注于高品質(zhì)、高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器，如鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM）和電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （ReRAM）。公司總部位于橫濱，于2020年3月31日作為富士通半導(dǎo)體有限公司（Fujitsu Semiconductor Limited）的子公司成立。公司通過其全球銷售與開發(fā)網(wǎng)絡(luò)，以及遍布日本及亞洲、歐洲和美洲的辦事處，為全球市場(chǎng)提供半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案。