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臺積電28nm全球大擴產(chǎn)

2021-07-12
來源:半導體行業(yè)觀察
關鍵詞: 臺積電 28nm

  據(jù)臺媒經(jīng)濟日報報道,市場傳出,晶圓代工龍頭臺積電為了滿足車用芯片、CMOS影像感測器(CIS)、驅動芯片、網(wǎng)通芯片、射頻元件等客戶需求,規(guī)劃積極擴大成熟制程的28納米產(chǎn)能,預計未來二到三年,28納米總產(chǎn)能每月可望擴增10萬到15萬片。

  市場傳出臺積電有意擴增28納米產(chǎn)能的地點,涵蓋中國臺灣中科、中國大陸南京,還有外傳仍在與當?shù)卣懻撔略O廠房計劃的日本熊本和德國的德勒斯登(Dresden),合計四大據(jù)點。針對上述傳言,因臺積電將于周四(15日)舉行法說會,該公司表示,目前處于法說會前緘默期。

  臺積電向來在全球晶圓制造領域扮演技術領先者的角色,在今年技術論壇上,大秀代表先進技術領導地位的5奈米、4奈米和3奈米能量,同時宣布4奈米提早一季、將預計于本季開始試產(chǎn),3奈米制程則依照計畫于2022年下半年量產(chǎn)。

  不過,這一波半導體缺貨潮,主要出現(xiàn)在晶圓代工廠紛紛暫緩擴產(chǎn)的成熟型制程,迫使各大代工廠回頭擴增成熟型制程的產(chǎn)能,以聯(lián)電、力積電腳步最快。

  臺積電也在今年4月下旬的董事會上,通過將斥資28.87億美元(新臺幣近800億元),在南京廠新增每月2萬片28納米產(chǎn)能,目標在2023年中前達到4萬片月產(chǎn)能。

  由于德、日等國都在邀請臺積電前往設廠,市場傳出,臺積電內部搭配在其他國家的設廠計畫,重新調整未來產(chǎn)能規(guī)劃,28納米制程被視為擴產(chǎn)重點,未來二到三年內,28納米總產(chǎn)能可望擴增每月10萬片到15萬片。

  市場傳出,臺積電計劃在中科廠房以增加機臺的方式,新增2萬片以上28納米產(chǎn)能;原本就計劃擴產(chǎn)的南京廠,除原定的每月4萬片外,還計劃增加2萬片,最高將達到每月6萬片。

  還在與當?shù)卣懻撛O計細節(jié)的日本和德國新廠,則分別規(guī)劃配置每月約3萬片的28納米產(chǎn)能,借以滿足當?shù)剀囉谩MOS影像感測器等客戶的需求。

  在傳出臺積電擬擴大28納米產(chǎn)能的同時,也傳出臺積電5納米和3納米的機器設備的移入廠區(qū)進度有放緩跡象,目前仍在觀察是否為暫時現(xiàn)象,或是機器設備成本過高、還是客戶端需求改變所致。

  臺積電南京擴產(chǎn),傳美施壓?

  外電媒體報導,臺積電有意擴大旗下中國大陸南京廠芯片產(chǎn)能的計畫,引發(fā)美國疑慮。華府擔心臺積電這項計劃對北京推動芯片自足企圖心的潛在助益,正施壓取消。臺積電昨(11)日回應,這是陸媒6月中旬的報導,目前逢公司法說會前緘默期,不回應市場傳言。

  據(jù)了解,市場會有「臺積電南京廠擴產(chǎn)遭美方施壓」的傳言,起因于先前美國要求荷商艾司摩爾(ASML)生產(chǎn)的半導體晶圓制造關鍵顯影機臺不得銷售大陸,借此阻撓以中芯國際為首的大陸晶圓制造業(yè)者勢力擴大。當時市場誤解為ASML遭限制銷陸的顯影設備涵蓋最先進的極紫外光(EUV)微影機,以及用于成熟制程的深紫外光(DUV)微影機。

  由于臺積電南京廠主要以成熟制程為主,使用的是DUV機臺,引起市場聯(lián)想「美方施壓,導致臺積電南京廠無法擴產(chǎn)」,不過事后證實,ASML僅EUV機臺限制銷陸,DUV機臺不受影響,臺積電南京廠仍可順利取得DUV機臺擴產(chǎn)。

  外電媒體報導,美國比起實際利益更重視產(chǎn)業(yè)霸權地位,是該國對臺積電施加壓力的原因。臺積電是美國和中國大陸貿(mào)易糾紛重要一環(huán),該公司調整計劃,可望成為美國阻止三星電子、格芯(GLOBALFOUNDRIES)和其他公司在中國大陸興建晶圓代工廠的工具。

  臺積電今年4月宣布,將斥資28億美元擴建南京廠。據(jù)臺積電規(guī)劃,南京廠將以28納米和其他技術水準較低制程生產(chǎn)汽車芯片,營運啟動時間將落在2022年第2季至2023年1月,目標月產(chǎn)能4萬片。臺積電財報資料顯示,南京廠2019年營運順利轉盈,去年獲利超過新臺幣120億元,但占臺積電整體獲利比重不到3%。

  海外布局方面,臺積電已開始在美國亞利桑那州建5納米廠,預計2024年量產(chǎn)、月產(chǎn)能2萬片,并決定在日本茨城縣筑波市設立材料研發(fā)中心、預計今年完成,將可加強和日本生態(tài)系伙伴在三維芯片(3DIC)材料方面探索。




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