目前全球的IT產(chǎn)業(yè)一年的規(guī)模超過10萬億美元，在全球半導(dǎo)體芯片缺貨漲價的趨勢下，各大芯片公司開啟了硬核競爭模式：三星首發(fā)3nm，IBM推出2nm，臺積電突破1nm，而英特爾這邊，還在10nm邊緣徘徊。
目前全球的IT產(chǎn)業(yè)一年的規(guī)模超過10萬億美元，在全球半導(dǎo)體芯片缺貨漲價的趨勢下，各大芯片公司開啟了硬核競爭模式：三星首發(fā)3nm，IBM推出2nm，臺積電突破1nm，而英特爾這邊，還在10nm邊緣徘徊。
臺積電、三星這兩大代工巨頭在芯片制程上不斷前進(jìn)，你追我趕，再次印證了中國互聯(lián)網(wǎng)市場的規(guī)律，老大和老二打架，把老三intel甩到了身后。
三星：3nm
3月份的時候，三星全球首發(fā)了3nm的芯片，這是一顆3nm的 SRAM芯片，容量達(dá)到了256GB，但面積只有56平方毫米，采用了GAAFET晶體管工藝。
三星這顆3nm的芯片推出后，很多人表示，這次三星可能要領(lǐng)先于臺積電了，因?yàn)槿沁@次確實(shí)在技術(shù)上似乎領(lǐng)先了，畢竟使用GAAFET工藝，而臺積電之前表示3nm芯片還使用FinFET晶體管工藝。
IBM：2nm
前不久，IBM全球首發(fā)了一顆2nm工藝的芯片，與三星的3nm芯片一樣，采用的是GAAFET晶體管技術(shù)。
Source：IBM
IBM的這顆芯片，晶體管密度達(dá)到了3.33MTr /mm2，也就是3.3億個每平方毫米。這個密度相比于臺積電、三星公布的3nm技術(shù)，先進(jìn)了一大截。
很多認(rèn)為在這波競賽中，似乎臺積電落后了，畢竟三星3nm芯片首發(fā)了，IBM的2nm芯片也有了，臺積電還沒動靜啊。
臺積電1nm重大突破
臺積電也在近日表示自己取得了1nm以下制程重大突破。
臺積電是與臺大、美國麻省理工學(xué)院合作研究，發(fā)現(xiàn)了用二維材料結(jié)合「半金屬鉍（Bi）」能達(dá)極低電阻，接近量子極限。
利用這種技術(shù)，有助實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體1nm以下制程挑戰(zhàn)，因?yàn)樗軌蚪鉀Q二維材料高電阻及低電流等問題。
從實(shí)際來看，除了三星的3nm技術(shù)是基本靠譜，明年可量產(chǎn)的技術(shù)外，像IBM的2nm，還有臺積電的這個「半金屬鉍（Bi）」技術(shù)，更多的還是在理論階段，但這無不表明，芯片戰(zhàn)爭真的無止境。
Intel：10nm
Intel的桌面和服務(wù)器CPU處理器一直沒有實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的制程，今年新CEO基爾辛格執(zhí)掌大印后才開啟技術(shù)路線，預(yù)計今年將推出10nm，7nm已經(jīng)take in。
今年下半年，Intel將推出代號為Alder Lake的12代酷睿處理器，升級10納米ESF工藝和Golden Cove架構(gòu)，首次使用大小核架構(gòu)，最多16核24線程。
在服務(wù)器領(lǐng)域中，Intel推出了14nm工藝的Cooper Lake處理器，也就是第三代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，最多28核心56線程（八路就是最多224核心448線程），部分型號增加了核心數(shù)量，同時頻率更高，基準(zhǔn)頻率提升至最高3.1GHz，單核睿頻加速最高則可達(dá)4.3GHz，三級緩存最多38.5MB（每核心對應(yīng)1.375MB），熱設(shè)計功耗150-250W。
結(jié)語
當(dāng)然Intel的處理器架構(gòu)與其他Arm架構(gòu)有所不同，制程也不能用簡單的數(shù)字進(jìn)行比較。三星的3nm可能是目前能夠最快量產(chǎn)的制程，臺積電的1nm也只是取得重大突破，離實(shí)際量產(chǎn)應(yīng)該還有一段距離。
不過，制程之爭已經(jīng)成了芯片設(shè)計與代工領(lǐng)域最重要的方式。
