根據(jù)外媒報導，隨著2021 年全球三大記憶體廠陸續(xù)將大規(guī)模量產(chǎn)下一代DDR5 DRAM 的情況下，預計記憶體市場將迎接下一個成長周期，這使得三星、SK 海力士、美光等三大記憶體公司正在加緊技術開發(fā)，以面對市場競爭而搶攻市占率。

　　根據(jù)南韓媒體《BusinessKorea》報導，全球記憶體產(chǎn)業(yè)龍頭的南韓三星電子計劃在2021 下半年正式推出DDR5 DRAM。相較于當前產(chǎn)品DDR4 的規(guī)格，DDR5 DRAM 的傳輸速率可高達6,400 Mbps，是DDR4 DRAM 的3,200 Mbps 的2 倍。另外，DDR5 的工作電壓為1.1V，比DDR4 的1.2V 降低9%。DDR5 最大容量為64 Gb，是DDR4 產(chǎn)品4 倍。因為性能突出，使DDR5 產(chǎn)品即便稍高于DDR4，但因為世代交易的市場需求下，仍有空間為記憶體廠帶來獲利，這也是預期全球記憶體產(chǎn)業(yè)將迎接新成長周期的主因。

　　報導強調(diào)，根據(jù)市場研究及調(diào)查單位TrendForce 預測，DDR5 在PC DRAM 市場中的市占率，將從2020 年的不到1%，成長到2021 年10%，足足是10 倍以上的成長。甚至， DDR5 產(chǎn)品在伺服器的DRAM 市場中，市占率也將從2020 年的4% 提升到2021 年15%。市場成長快速情況下，全球三大記憶體廠都開始準備搶攻商機。南韓SK 海力士已在10 月6 日首次發(fā)表DDR5 DRAM，競爭對手三星則預計2021 年開始量產(chǎn)第4 代10 納米級DDR5 和LPDDR5。美商記憶體大廠美光今年初宣布，已開始向客戶出樣最新DDR5 記憶體，以第3 代10 納米級1z 納米制程打造，性能提升85%。

　　除了DDR5 的DRAM 競爭，記憶體廠商也在NAND Flash 快閃記憶體發(fā)展角力。美光于11 月宣布，已開始量產(chǎn)全球首批176 層堆疊NAND Flash 快閃記憶體。美光指出，新176 層堆疊NAND Flash 快閃記憶體讀寫方面性能提高35% 以上，且與同類最佳競爭對手相較，尺寸更減少30%。繼美光之后，SK 海力士也在12 月7 日宣布完成176 層堆疊NAND Flash 快閃記憶體開發(fā)。SK 海力士強調(diào)，新產(chǎn)品生產(chǎn)率提高35% 以上，176 層堆疊的NAND Flash 快閃記憶體將能增加市場價格競爭力。三星方面則計劃2021 年發(fā)表第7 代V-NAND 快閃記憶體。理論上，第7 代V-NAND 快閃記憶體最多可達256 層堆疊能力。

　　報導進一步指出，受惠于2020 年10 月，自處理器大廠英特爾收購NAND Flash 快閃記憶體業(yè)務，使SK 海力士全球NAND Flash 快閃記憶體市場市占率擴大至23% 上下。TrendForce 表示，截至2020 年第3 季，三星電子以31.4% 市占率在全球NAND Flash 快閃記憶體市場中排名第一，鎧俠則以17.2% 位居第2，西部數(shù)據(jù)的市占率則為15.5%，位居第3，英特爾及SK 海力士則各以11.5% 的市占共同排名第4。

　　報導進一步強調(diào)，業(yè)界預期，NAND Flash 快閃記憶體市場的成長將比DRAM 市場更快，原因在于智慧型手機向5G 發(fā)展，以及資料中心的伺服器對SSD 的需求所造成，這使得NAND Flash 快閃記憶體市場到2024 前將以每年30% 到35% 的速度增長，相較于而DRAM 的年平均成長率為15%~20% 而言，NAND Flash 快閃記憶體市場的成長速度快很多，也使得炒商更注重NAND Flash 快閃記憶體市場發(fā)展。