集成電路是人類信息化發(fā)展的支柱產(chǎn)業(yè)。2018年全球集成電路總產(chǎn)值約4000億美元，其中功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占到了9%。功率半導(dǎo)體作為集成電路中占比最大的行業(yè)應(yīng)用，隨著超級(jí)結(jié)技術(shù)發(fā)展到理論極限，而復(fù)合物寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)又面臨成熟度低、成本高等因素推廣困難，如何在現(xiàn)階段有效突破“功率密度”——這一人類不懈追求目標(biāo)的技術(shù)瓶頸是業(yè)界面臨的挑戰(zhàn)。

　　派微電子經(jīng)過5年的持續(xù)創(chuàng)新研發(fā)投入，2019年6月18日正式發(fā)布的AccuMOS?產(chǎn)品，很好地解決了上述難題。

　　AccuMOS?采用自主研發(fā)的“全新電場(chǎng)操縱”技術(shù)，首次將摩爾定律引入高壓功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)，可將Rsp值（Specific Rdson，單位面積電阻）隨設(shè)計(jì)線寬逐步縮小。本次派微電子發(fā)布的AccuMOS?產(chǎn)品功率密度已經(jīng)達(dá)到LDMOS和VDMOS業(yè)界最好水平 的2倍以上，并且隨著線寬的進(jìn)一步減少，功率密度有望于2020年超越業(yè)界超級(jí)結(jié)最佳水平，進(jìn)而推動(dòng)行業(yè)變革。

　　AccuMOS?產(chǎn)品的工作原理

　　AccuMOS?的工作原理如下圖所示：

　　AccuMOS?架構(gòu)是在傳統(tǒng)的LDMOS架構(gòu)上疊加了一個(gè)IC控制電路。當(dāng)Gate極上加高電壓導(dǎo)通時(shí)，IC電路通過電場(chǎng)操縱，在N-Drift區(qū)域形成一個(gè)比常態(tài)高102以上載流子濃度的導(dǎo)通層，從而有效降低MOSFET的Rdson。并且隨著設(shè)計(jì)線寬的降低，IC電路形成的操縱電場(chǎng)會(huì)越來越均勻，Rdson也會(huì)大幅下降，未來將具有超越超級(jí)結(jié)技術(shù)功率密度的水平。

　　AccuMOS?產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)

　　AccuMOS?的獨(dú)創(chuàng)設(shè)計(jì)，帶來產(chǎn)品三大優(yōu)勢(shì)。

　　1.AccuMOS?具有業(yè)界最優(yōu)溫升曲線,優(yōu)于超級(jí)結(jié)、VDMOS 20%以上

　　采用歸一化處理，假設(shè)常溫25℃時(shí), AccuMOS?、超級(jí)結(jié)、VDMOS的Rdson是1，那么在工作溫度125℃時(shí)，AccuMOS?比超級(jí)結(jié)、VDMOS 的Rdson要低20%以上，具有業(yè)界最佳溫升性能。

　　2.AccuMOS?具有業(yè)界最佳EMI性能,比超級(jí)結(jié)、VDMOS低5db以上

　　AccuMOS?的背面為Source極，直接與金屬散熱片接觸，可將導(dǎo)熱系數(shù)提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，同時(shí)維持較低的EMI輻射水平。實(shí)際測(cè)試結(jié)果表明，AccuMOS?的EMI性能比超級(jí)結(jié)、VDMOS低5db以上。

　　3.AccuMOS?與控制器IC采用同一工藝平臺(tái),可提供單一芯片解決方案

　　派微電子在推出AccuMOS?產(chǎn)品的同時(shí)，同步開發(fā)了電源控制IC電路設(shè)計(jì)所需要的各種低壓元器件，提供PDK設(shè)計(jì)包。IC設(shè)計(jì)合作伙伴，可以基于AccuMOS?平臺(tái)，向客戶可提供單一芯片解決方案。

　　AccuMOS?產(chǎn)品的產(chǎn)品系列

　　AccuMOS?本次發(fā)布的產(chǎn)品，覆蓋了60W以下,500-800V的MOSFET領(lǐng)域。

　　AccuMOS?產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域

　　AccuMOS?產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于充電器、LED驅(qū)動(dòng)電源、適配器、智能家電、充電樁和通信電源等領(lǐng)域。

　　派微電子團(tuán)隊(duì)秉承“創(chuàng)新拼搏，成事為樂”的企業(yè)文化，期待與您的深入合作。期望本次發(fā)布的AccuMOS?產(chǎn)品，能為電源行業(yè)的發(fā)展注入新的動(dòng)力。