日前，處理器大廠英特爾推出結(jié)合 DRAM 及 NAND Flash 優(yōu)點(diǎn)于其中的 Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10，期望憑借著英特爾本身在服務(wù)器處理器上的市占率優(yōu)勢(shì)，有人預(yù)測(cè)，這種新的存儲(chǔ)器可以建立一個(gè)新的存儲(chǔ)器生態(tài)系統(tǒng)，英特爾幾乎?斷了服務(wù)器CPU，這有利于將H10推廣到服務(wù)器當(dāng)中，進(jìn)一步挑戰(zhàn)目前服務(wù)器存儲(chǔ)器中三星與 SK 海力士的地λ。

　　而對(duì)于來(lái)勢(shì)洶洶的英特爾，三星與 SK 海力士隨即表示，將推出相類似的產(chǎn)品以抗衡英特爾。因此，服務(wù)器存儲(chǔ)器大展進(jìn)入一觸即發(fā)的狀態(tài)。

　　根據(jù)韓國(guó)?體《ETnews》的報(bào)導(dǎo)，英特爾日前推出將 Intel Optane 與 Intel QLC 3D NAND 技術(shù)結(jié)合在一個(gè) M.2 模塊當(dāng)中的 Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10。雖然英特爾宣稱，H10 將適用于輕薄的筆記型計(jì)算機(jī)上，以及某些空間受限的桌上型計(jì)算機(jī)，提供了當(dāng)今傳統(tǒng) Triple Level Cell (TLC) 3D NAND SSD 無(wú)法滿足的更高效能，并且減少對(duì)于第 2 顆資料儲(chǔ)存設(shè)備的需求。

　　但是，因?yàn)?H10 具備著融合了 DRAM 與 NAND Flash 的優(yōu)點(diǎn)，那就是雖然在 DRAM 的存儲(chǔ)器速度比過去傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器稍慢，卻有著價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)，而且具有 NAND Flash 斷電后資料依舊能保存，成為另外儲(chǔ)存空間的優(yōu)點(diǎn)。而且，因?yàn)橛⑻貭柵c美光多年來(lái)所開發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)，可以將 NAND Flash 的速度提高 1,000 倍，而且延長(zhǎng)持續(xù)使用時(shí)間的情況下，更使其適合在服務(wù)器內(nèi)所使用。因此，對(duì)于當(dāng)前服務(wù)器存儲(chǔ)器的兩大廠商──三星與 SK 海力士來(lái)說(shuō)的確造成威脅，使得三星與SK海力士也宣布將推出相類似的產(chǎn)品應(yīng)戰(zhàn)。

　　報(bào)導(dǎo)表示，英特爾的 H10 被稱之為下一代的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，而且采用 Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行動(dòng)平臺(tái)，將于本季稍晚透過主要 OEM 廠商推出。透過這些平臺(tái)，日常用戶將能夠在多工處理時(shí)，達(dá)到啟動(dòng)文件檔案的速度提高 2 倍，或者游戲啟動(dòng)速度提高 60%，以及打開?體檔案的速度提高 90% 的效能。

　　而隨著筆電使用的 H10 問世，δ來(lái)英特爾在服務(wù)器方面的相關(guān)產(chǎn)品也將會(huì)很快地推出，而憑借著英特爾在服務(wù)器上的高市占率優(yōu)勢(shì)，δ來(lái)將會(huì)影響到三星與 SK 在服務(wù)器存儲(chǔ)器上的市占率。因此針對(duì)次此一市場(chǎng)，三星與海力士也將推出相類似的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)，不讓英特爾專美于前。

　　在英特爾磨刀霍霍準(zhǔn)備打亂存儲(chǔ)市場(chǎng)格局的情況下，有消息稱三星電子和SK 海力士也在做必要的準(zhǔn)備，受到英特爾的影響，三星電子已經(jīng)開始增加PRAM產(chǎn)品的研發(fā)人員。SK 海力士的一λ發(fā)言人也表示，正在開發(fā)PRAM產(chǎn)品，將在相關(guān)市場(chǎng)開放時(shí)發(fā)布這類產(chǎn)品。