1．現在是一個追求產品效能的時代，傳統以硅為材料的功率半導體，正逐漸面臨發展瓶頸，而具有比硅更低導通電阻及更高切換速度的氮化鎵近幾年成為眾所矚目的焦點，吸引不同廠商投入發展。
2．氮化鎵在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場主流的硅功率器件均有顯著數量級的提升。而5G技術的門檻相對更高，不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性以支持海量設備的互聯。氮化鎵器件擁有更高的功率密度、更高效率和更低功耗，正好能夠滿足5G通信對于半導體元器件性能的要求。
3．目前氮化鎵器件的成本仍然很高，但隨著氮化鎵襯底材料的技術突破，預計采用新材料的氮化鎵器件大規模生產后，它的成本將與硅功率器件相當，而產品的綜合系統成本則會遠低于硅器件。
4．作為新一代半導體元件，氮化鎵方面的核心技術目前主要集中在國外企業手上。眾所周知，氮化鎵也是重要國防軍工產品的關鍵技術，國外對我國技術封鎖，而目前我國氮化鎵核心材料、器件原始創新能力仍相對薄弱，國內在氮化鎵器件研發和生產上面臨許多挑戰。
5．氮化鎵器件的市場前景十分廣闊，手機快充、5G通信、電源、新能源汽車等都是重要的應用市場。面對大好機遇，國內產學研用等相關各方面要勇于挑戰，創新合作模式，協同攻關，建立并發展好國內氮化鎵產業鏈。
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