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臺積電與GF即將翻身

2017-06-27
關(guān)鍵詞: 臺積電 GF 半導(dǎo)體 制程

科技網(wǎng)站Anandtech公布了幾家半導(dǎo)體巨頭最新的制程路線圖,主要就是下一代的10nm和7nm工藝制程。通過路線圖可以看到臺積電GF可以說即將翻身,而老牌企業(yè)Intel則將在10nm制程徘徊一段時(shí)間。

7nm路線圖公布:臺積電與GF即將翻身

7nm路線圖公布:臺積電與GF即將翻身

7nm路線圖公布:臺積電與GF即將翻身

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從官方公布的路線圖來看,臺積電是最快到達(dá)7nm工藝制程的廠商,在2018年第一季度就可以搞定7nm ff工藝,而GF則在2018年第二季度更新至7nm工藝。三星將會(huì)在2019年更新至7nm工藝,至于Intel將會(huì)在今后幾年不斷地改良自己的10nm工藝,就算出來了也要到2021年之后了。

7nm路線圖公布:臺積電與GF即將翻身

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不過GF為7nm劃分了三代,第一代是DUV(深紫外光刻),而導(dǎo)入EUV(極紫外光刻)需要到2019年。技術(shù)指標(biāo)上,GF的第一代/第二代7nm相較14nm FinFET可提升40%性能、降低60%功耗,芯片成本降低30%。

如果各家制程路線圖沒有什么區(qū)別的話,那么未來等到Intel使用7nm的時(shí)候,迎來的將會(huì)是使用7nm改良版的AMD Zen2/3處理器。


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