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EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管

2017-06-07
關鍵詞: EPC MOSFET 晶體管

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出面向多種應用的EPC2046功率晶體管,包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用、太陽能微型逆變器及具低電感的馬達驅動器。EPC2046的額定電壓為200  V、最大導通電阻RDS(on)為25 m?、脈沖輸出電流為55 A。

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EPC2046采用芯片級封裝,比使用塑膠封裝的MOSFET更有效地散熱,這是由于使用芯片級封裝的器件可以直接散熱至周遭環境,而MOSFET芯片的熱量則聚集在塑膠封裝內。設計師現在可以同時實現更小型化和性能更高的器件!

EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow稱:「EPC2046  eGaN?產品采用最新的第五代工藝,展示出EPC及其氮化鎵晶體管技術如何提升產品的性能之同時能夠降低器件的價格,這些優勢推動全新應用的發展,是日益老化的硅MOSFET所不可以實現得到的,并且吸引目前采用MOSFET的設計師轉用eGaN產品。這些全新晶體管也印證了氮化鎵與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴大。」

開發板

EPC9079開發板的最大器件電壓為200  V、半橋、帶板載柵極驅動器、內含EPC2046晶體管、板載柵極驅動電源及旁路電容。該板為2英寸乘1.5英寸,其布局可實現最優開關性能,并且包含所有重要元件,從而可以幫助工程師易于對EPC2046  eGaN FET的性能進行評估。

價格及供貨

EPC2046 eGaN FET在批量為1,000片時的單價為3.51美元。

EPC9079開發板的單價為118.75美元。

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