中國(guó)砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報(bào)告指出，今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能，預(yù)估有超過(guò)一半都將來(lái)自中國(guó)。

　　據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠(chǎng)，當(dāng)中有10座設(shè)在中國(guó)，其中兩座生產(chǎn)存儲(chǔ)器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較 小，主要生產(chǎn)類(lèi)比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與LED等。對(duì)照日、韓同期間僅新增一座存儲(chǔ)器產(chǎn)線(xiàn)。

　　全球半導(dǎo)體投資不分海內(nèi)外均向中國(guó)集中，這是中國(guó)傾國(guó)家之力發(fā)展半導(dǎo)體所創(chuàng)造的結(jié)果。中芯國(guó)際(SMIC)、武漢新芯(XMC Limited)目前都在蓋新廠(chǎng)，英特爾與臺(tái)積電在大陸也有大規(guī)模投資計(jì)劃正在進(jìn)行。

　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能投資金額上看360億美元，較去年成長(zhǎng)1.5%，明年更將成長(zhǎng)13%至407億美元，其中多數(shù)將用于投資3D NAND 快閃存儲(chǔ)器與10 納米晶圓廠(chǎng)。