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盛美無應力拋光技術克服Cu/low-k互聯結構平坦化技術瓶頸

2015-03-19

        隨著半導體集成電路產業的飛速發展,為了克服隨著技術節點減小帶來的阻容遲滯(RC Delay),銅低k / 超低k 介質互連結構被引入半導體工業中。因為低k / 超低k 介質材料脆弱的機械性能,阻礙其被廣泛應用于半導體器件量產中。

      “盛美最新開發的無應力拋光(the Ultra SFP)設備,能夠對于28nm至40nm及以下節點銅低k/超低k互聯結構進行無應力,無損傷的拋光。”盛美半導體設備公司的創始人、首席執行官王暉博士說,“該設備整合了無應力拋光工藝(SFP),熱氣相蝕刻工藝 (TFE);并且可以和現有生產線所使用的傳統化學機械研磨工藝(CMP)無縫銜接,在下一代工藝技術節點應用中,無需對現有 CMP 設備進行升級改造;利用其各自獨特的工藝優點,確保整個工藝對銅互連結構無任何損傷。”

      無應力拋光設備應用于銅低k / 超低k 互連結構有諸多優點:其一,依靠拋光自動停止原理,平坦化工藝后凹陷更均勻及精確可控;其二,工藝簡單,采用環保的可以循環實用的電化學拋光液,沒有拋光墊,研磨液等,耗材成本降低50%以上;對互聯結構中金屬層和介質層無劃傷及機械損傷;其三,可以將工藝擴展至新型材料鈷(Co)和釕(Ru)作為阻擋層的銅低k / 超低k 互聯結構中。


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