LSI率先演示采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND閃存技術的SSD
LSI SandForce SF-2000 閃存存儲處理器可加速業界最先進閃存介質的性能,并使可靠性實現最大化
2012-06-05
北京2012年6月5日電 /美通社亞洲/ -- 在2012臺北國際電腦展上,LSI公司( http://www.lsi.com/china/Pages/china.aspx )(紐約證交所股票代碼:LSI)宣布演示其備受贊譽的SandForce(R) SF-2000閃存( http://www.sandforce.com/index.php?id=2 )存儲處理器(FSP),該產品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND 閃存 -- 目前SSD應用中所使用的最先進閃存技術。這些前沿的技術將于本周舉行的2012年臺北國際電腦展上進行互動演示。
LSI SandForce FSP 可為NAND 閃存固態硬盤(SSD)提供同類最佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現有的產品證明,LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場推出成本更低的SSD產品,還可以加速閃存存儲在云計算、企業和客戶端應用中的廣泛普及。到2015年SSD產品在客戶端和企業市場領域的出貨量將超過1億,與2011年相比出貨量增長56%。(1)
SSD目標分析師Jim Handy 指出:“SSD用戶都希望從領先的閃存技術中獲得巨大的成本優勢,但大部分SSD控制器都無法管理最先進和成本最低的閃存芯片的復雜性。通過支持最小的NAND工藝,LSI將幫助OEM廠商和終端用戶在云計算、企業和客戶端等I/O密集型和基本數據存儲應用中部署最具成本效益的閃存存儲處理器。”
隨著閃存存儲器的尺寸不斷縮小,引入最先進的錯誤校驗功能已成為當務之急。這是因為獨立單元已很難維持一定荷質比,這會降低閃存器件的可靠性、數據完整性和數據保留特性。為了優化19nm和20nm閃存存儲的可靠性和耐用性,LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字節扇區內可校正多達55位錯誤,也成為業界首款可同時支持企業和客戶端市場的處理器。LSI SandForce產品包括一個獨特的糾錯引擎,盡管當今和未來先進NAND閃存技術對閃存錯誤校驗功能的要求不斷變化和提高,但是該引擎憑借其獨特的設計完全可以應對這些挑戰。
LSI 閃存組件部副總裁兼總經理Michael Raam 指出:“與6家NAND閃存技術領先制造商開展合作,使我們能夠針對不斷縮小的芯片尺寸對閃存處理器進行優化。SSD已經具備云計算和財富1000企業中關鍵任務型計算環境所需的卓越可靠性,使用壽命和功效,并且隨著用戶越來越認可這些屬性,我們期望繼續看到SSD技術被廣泛采用。”
為了滿足客戶對小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求,LSI SandForce FSP 采用了DuraClass(R)( http://www.sandforce.com/index.php?id=3 ) 高級NAND閃存管理技術。
DuraClass管理特性包括:
-- DuraWrite(TM):優化閃存的程序周期數量,有效地提高閃存耐用性。
-- RAISE(TM)(獨立芯片冗余陣列):驅動器可靠性得到大幅提高,可實現單驅動解決方案、RAID式的保護及恢復功能。
-- 高級耗損平衡和監視:最佳耗損平衡算法可進一步增強閃存耐用性。
-- 反復循環器:智能地執行“垃圾收集”操作,清除無效數據,使閃存耐用性影響最小化。
-- RAISE(TM)(獨立芯片冗余陣列):驅動器可靠性得到大幅提高,可實現單驅動解決方案、RAID式的保護及恢復功能。
-- 高級耗損平衡和監視:最佳耗損平衡算法可進一步增強閃存耐用性。
-- 反復循環器:智能地執行“垃圾收集”操作,清除無效數據,使閃存耐用性影響最小化。
LSI技術演示將在臺北市君悅酒店1037和1038號LSI套房中進行。如需了解關于LSI SandForce FSP的更多信息,敬請訪問:www.lsi.com/sandforce。
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