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兩種常見的MOSFET驅動電路設計
摘要: 兩種常見的MOSFET驅動電路設計。
Abstract:
Key words :

由分立器件組成的驅動電路((如圖所示),驅動電路工作原理如下:

  A.當HS為高電平時,Q7、Q4導通,Q6關閉,電容C4上的電壓(約14V)經過Q4、D3、R6加到Q5的柵極,使Q5導通。在導通期間,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電壓Vdc,所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動,電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來維持導通。

  B. 當HS為低電平時,Q7、Q4關閉,Q6導通,為Q5的柵極提供放電回路,從而使Q5很快關閉。當Q5關閉后,由于下管的開通或負載的作用,使得Phase電壓下降接近0V,從而使C4經過+15V→D2→C4→GND回路充電,為下一次導通做好準備。

  C. 當LS為低電平時,Q8、Q11導通,Q10關閉,驅動電路通過R11為下管Q9的柵極充電,使Q9導通。

  D. 當LS為高電平時,Q8、Q11關閉,Q10導通,為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關斷。

  E. 當HS和LS同時為高電平時,上管開通下管關閉。當HS和LS同時為低電平時,上管關閉下管開通。在實際應用中,為了避免上下管同時開通,HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來保證。

  半橋驅" title="半橋驅">半橋驅動芯片組成的驅動電路

  半橋驅動芯片組成的驅動電路如圖所示,工作原理如下:

  A.當HS和LS同時為高電平時,HO有驅動電壓輸出,使Q1開通。當HS和LS同時為低電平時,LO有驅動電壓輸出,使Q2開通。

  B.電容C2與分立器件驅動電路里的C4作用相同,同樣為自舉電容。

  C.電容C1為去藕電容,為抑制功率MOSFET" title="MOSFET">MOSFET開關時對驅動電路浮動電源部分的干擾,一般應加上此電容。

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