《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 微波|射頻 > 設計應用 > 分布式源場極板結構射頻LDMOS器件的設計
分布式源場極板結構射頻LDMOS器件的設計
電子市場
摘要: 為了減小射頻LDMOS器件中場極板寄生電容,提出一種具有分布式源場極板結構的射頻LDMOS器件,給出了器件結構及工藝流程。借助微波EDA軟件AWR對場極板進行了三維電磁仿真優化設計。仿真及測試結果表明!所設計的分布式源場極板結構在不影響器件擊穿電壓的條件下,能有效減小LDMOS器件寄生電容!提升器件增益#效率及線性度等射頻性能。
Abstract:
Key words :

  0.引言

  由于具有高功率增益#高效率及低成本等優點,射頻LDMOS(lateral diffused metal oxide semicONductor traNSiSTor)器件被廣泛應用于移動通信基站、雷達、導航等領域。為了提高LDMOS擊穿電壓!增大輸出功率,采用了各種各樣的改進結構,如SUPER-JUNCTION、漂移區變摻雜、RESURF和表面形成G降場層技術等,其中最為常用且簡單有效的工藝方法就是在漂移區上部使用金屬場極板。場極板電容作為LDMOS器件寄生電容的主要組成部分,是決定器件功率增益及截止頻率的一個重要因素。

  為了解決常規金屬場極板結構LDMOS(CFP-LDMOS)器件寄生電容大的缺點!本文提出分布式金屬源場極板結構LDMOS器件(DFP-LDMOS)分布式源場極板結構在工藝上易于實現,并在不影響器件擊穿電壓的前提下,能有效減小器件寄生電容,提升器件射頻性能。

  1.器件結構及工藝流程

  圖1所示為射頻LDMOS器件剖面圖,本文所設計的DFP-LLDMOS器件以傳統LDMOS器件結構為基本框架,并應用了分布式金屬源場極板技術。

射頻LDMOS器件剖面圖

圖1 射頻LDMOS器件剖面圖

 

全文PDF下載:分布式源場極板結構射頻LDMOS器件的設計.pdf

此內容為AET網站原創,未經授權禁止轉載。
主站蜘蛛池模板: 成人影院午夜久久影院 | 日本 国产 欧美 | 久久精品视频网站 | 成年女人免费观看视频 | 国产免费v片在线看 | 久久久精品免费视频 | 国产成人综合亚洲一区 | 韩国美女爽快一毛片免费 | 狠狠色丁香久久婷婷综合_中 | avwww在线| 日韩三级免费观看 | 高清一区二区三区四区五区 | 久久免费大片 | 一级毛片免费不卡 | 在线亚洲日产一区二区 | 亚洲国产99在线精品一区二区 | 亚洲精品久久久久久久网站 | 岛国精品成人 | 91伊人国产 | 99免费观看视频 | 日本aaaa片毛片免费 | 亚洲人成在线观看 | 一级视频在线观看 | 免费岛国小视频在线观看 | 日本伊人精品一区二区三区 | 国产精品久久毛片蜜月 | 成人亚洲欧美 | 在线观看免费毛片 | 另类毛片| 成人午夜大片免费7777 | 成年网站免费 | 宅男69免费永久网站 | 免费看 s色 | 分享一个无毒不卡免费国产 | 欧美特级一级毛片 | 91九色视频无限观看免费 | 精品国产一区二区三区成人 | 亚洲欧美视频一区 | 欧美极品欧美精品欧美视频 | 毛片在线播放网址 | 波多野一区二区三区在线 |