微波射頻相關文章 閃存芯片迎春 20nm制程技術完全解析 近日IDF2011大會圓滿閉幕，但是就在會后時隔1個工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研發(fā)成功。對于整個閃存乃至半導體產業(yè)的刺激巨大。而在日本311之后，整個閃存產業(yè)經歷了巨大的驚濤風波之后，現在恢復的如何？下面就且聽小編我一一道來。 發(fā)表于：4/18/2011 支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設計 先對ONFI標準進行了介紹，然后再設計了一種支持ONFI2．1標準源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機的設計，接口的設計等。對設計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進行了說明，并提出了一種解決方法。同時設計中還會遇到數據跨時鐘域傳輸的問題，本文也給出了解決辦法。最后仿真和綜合結果表明，本文的設計完全滿足標準要求，具有實際的使用價值。 發(fā)表于：4/16/2011 Vishay精密電阻陣列使電子電路穩(wěn)定和小型化 本文將介紹薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩(wěn)定，同時減少需要的面積。以分壓器作為例子，我們將在文章中解釋相對參數“容差匹配”和“TCR跟蹤”，并討論電阻陣列的溫度行為。此外，這篇文章還會展示如何在生產過程中控制電阻的容差和溫度系數。 發(fā)表于：4/15/2011 利用模擬開關實現T1/E1/J1的N+1冗余 具有多端口T1/E1/J1線卡的現代通信系統(tǒng)通過增加冗余來滿足電信網絡的高可用性要求。過去，這些系統(tǒng)曾經用繼電器來實現N＋1冗余切換。隨著每個線卡上的T1/E1/J1端口數和每個系統(tǒng)內的線卡數的增加，繼電器方案不再可行，因為它們要占用大量的板上空間和供率。設計者正在用模擬開關代替繼電器。 發(fā)表于：4/15/2011 Vishay發(fā)布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負載開關 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負載開關--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關導通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動過程更加平滑，從而將開關噪聲降至最小。 發(fā)表于：4/14/2011 電容爆炸的原因及處理方法 我曾經在400V開關室使用了PGJ1-5型無功功率補償屏，屏內裝有BCMJ型并聯(lián)電容器10只，每只額定輸出16kVar，額定電壓0.4kV，額定電流25A，溫度類別-25℃/45℃接法。 發(fā)表于：4/14/2011 智慧手機和平板助攻 行動DRAM聲勢看漲 在智慧型手機和媒體平板裝置的帶動下，行動DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢正不斷看漲。 發(fā)表于：4/14/2011 IDF2011:Hynix與下一代內存技術趨勢 由英特爾主辦的全球IT界高水平的技術論壇活動--2011英特爾信息技術峰會(Intel Developer Forum, IDF)，于4月12至13日在北京國家會議中心舉行。這是2007年以來連續(xù)第5個年度IDF在中國首發(fā)。本屆IDF以"智無界，芯跨越"(Compute Continuum and Beyond)為主題，將進一步展示英特爾如何通過從硬件、平臺到軟件和服務全面的計算解決方案，推進個性化互聯(lián)網發(fā)展;同時面向中國市場如何支持本地合作伙伴創(chuàng)新，助力新一代信息技術等戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展。 發(fā)表于：4/14/2011 四月DRAM價格攀升 廠商產能轉往Flash及DDR3 根據DRAMeXchange調查，四月上旬DDR3合約價再度呈現價格上揚的趨勢，DDR3 2GB均價自17美元上漲至18美元(2Gb $2.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價亦上漲至35美元(2Gb $2.03)，漲幅約在6.1%，從市場面來觀察，由于日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起硅晶圓搶料作戰(zhàn)，硅晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產業(yè)需求，加上DRAM廠普遍都有一個月以上的庫存量來看，目前維持正常投片的能見度可至第二季末，但長期來看，如果硅晶圓大廠如信越化學及SUMCO不能在近期恢復正常運作，DRAM供應煉受到沖擊勢必在未來將陸續(xù)浮現，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制程良率出現問題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對于DRAM廠未來是否能供貨穩(wěn)定度增添疑慮，部份PC-OEM廠決定拉高庫存水位，需求轉趨積極下，跟DRAM廠議定合約價時亦接受較高的價格，也是讓四月上旬合約價攀升的主要原因。 發(fā)表于：4/14/2011 Vishay榮獲TTI Asia的優(yōu)秀供應商獎 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優(yōu)秀供應商獎。Vishay是全球最大的分立半導體和無源電子器件制造商之一，TTI是全球領先的授權分銷商，專門從事無源、連接器、機電產品和分立器件的分銷。 發(fā)表于：4/13/2011 硅晶圓缺貨依舊 DRAM合約價成功調漲 在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個人計算機(PC)大廠補貨需求提前啟動，4月DRAM合約價漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價格調漲至18美元，換算2Gb芯片報價回升至2美元，預計2GB模塊報價回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問題持續(xù)，預計5、6月可順利回升至此價位。 發(fā)表于：4/13/2011 繼電器使用中的幾點問題 要用好繼電器，正確選型是很重要的，首先必須對被控對象的性質、特點和使用要求有透徹的了解，并進行周密考慮。對所選繼電器的原理、用途、技術參數、結構特點、規(guī)格型號要掌握和分析。在此基礎上應根據項目實際情況和具體條件，來正確選擇繼電器。 發(fā)表于：4/13/2011 繼電器在高壓開關中的應用 目前使用的高壓開關設備的二次系統(tǒng)由眾多的繼電器、多觸點輔助開關、行程開關及壓力開關等元器件組成，其中繼電器類占的比重約70％，面對紛繁復雜的繼電器類產品，如何合理選擇、正確應用，是系統(tǒng)開發(fā)、設計人員密切關注并且必須優(yōu)先解決的實際問題，尤其作為高壓開關設備的二次控制部分，使用有大量的繼電器， 其在運行中也有其獨特的特殊性，選型的好壞， 直接關系到變電站設備的可靠安全運行， 萬一發(fā)生事故將特別嚴重， 因此要做到合理選擇，正確應用，就必須充分研究分析系統(tǒng)的實際應用條件與實際技術參數的要求，恰如其分地提出所選用繼電器類產品必須達到的技術性能， 在整個系統(tǒng)的設計中，根據整個系統(tǒng)的重要性、可靠程度、所使用的環(huán)境條件及成本等因素綜合考慮選擇合理的繼電器。 發(fā)表于：4/13/2011 軟啟動器在運行中的過電壓及保護措施 某礦的一條上運皮帶長500米，傾角16度，交流電機電壓為交流660V，功率為160Kw，為解決電機起動時所形成的機械及電氣沖擊，選用了天地科技股份有限公司常州自動化分公司GMC型軟啟動柜，其核心器件軟啟動器選用德國西門子生產的3RW22型軟啟動器。在安裝調試過程中，為確保設備的安全，先進行了空載試運行，電壓、電流參數都設置的很小，起動過程一切正常。運行一段時間停車后，再次起動時，西門子軟啟動器發(fā)生故障報警，顯示晶閘管故障，按其復位按鈕無效，用指針式萬用表測量晶閘管阻值，發(fā)現晶閘管中間相的阻值幾乎為零，而完好的晶閘管陽極和陰極之間阻值>100K,因此懷疑晶閘管損壞。經分析，造成晶閘管阻值降低的原因是交流電機的反向電動勢及晶閘管關斷過電壓引起,間隔一天，再次測量晶閘管阻值時，阻值恢復正常。 發(fā)表于：4/12/2011 存儲器模塊業(yè)淘汰賽再起 臺美聯(lián)手擊退日系陣營 日本老牌存儲器模塊廠荻原系統(tǒng)(Hagiwara Sys-Com)由于負債累累，日前驚傳申請日本民事再生法，亦即破產保護，讓業(yè)界相當震驚。荻原過去在存儲器模塊領域曾經紅極一時，成立時間也超過30 年，與NAND Flash大廠東芝(Toshiba)更是關系緊密，但這幾年臺系和美系存儲器模塊勢力急起直追，現在幾乎囊括全球主要市占率，加上存儲器價格波動劇烈，讓模塊產業(yè)淘汰賽再起。 發(fā)表于：4/12/2011 ?…121122123124125126127128129130…?
