世界領先的低功耗鐵電存儲技術半導體產品開發商及供應商美國Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 贏得業界聲望卓著的《電子設計技術》雜志2010年度創新獎之最佳產品獎，其通過AEC-Q100 Grade 3標準認證之1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存儲器FM25V10-G擊敗眾多競爭對手，獲評審小組和數千位《電子設計技術》讀者評選為嵌入式系統存儲器類別的最佳產品。
　
　　汽車電子委員會(AEC)集成電路應力測試資格(Automotive Electronic Council’s Stress Test Qualification for Integrated Circuits)確定了嚴格的汽車級資格認證。Ramtron公司專門針對汽車市場的苛刻要求，擴大了符合AEC-Q100要求的存儲器陣容至15款產品。Grade-3資格認證可以確保器件工作在-40 ℃到+85℃的汽車溫度范圍內。
　
　　Ramtron公司全球市場推廣總監徐夢嵐稱：“FM25V10標志著我們容量最大符合汽車等級標準的產品出爐。在V系列產品線中增加達到Grade 3標準的產品，使得我們能夠在4kb至1Mb的整個密度范圍內，為汽車客戶提供高功效、高性能的非易失性存儲器產品。”
　
　　去年，Ramtron的V系列產品獲得《電子設計技術》雜志嵌入式系統存儲器類別之優秀產品獎。
　　
　　FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存儲器的成員，具有2.0V至3.6V 的寬工作電壓范圍。它是1Mb串行SPI器件，工作電流為3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工業標準8腳SOIC封裝。FM25V10-G在40MHz 全總線速率下工作，具有無延遲 (NoDelay™)  寫入功能、幾乎無限的耐用性和低功耗等特點。該器件是汽車、工業控制、計量、醫療、軍事、游戲以及計算等應用中，1兆位串行閃存和串行EEPROM 存儲器的普適型 (drop-in) 替代產品。
　
　　這次比賽的最終入圍產品由來自中國領先OEM廠商、學術機構和大學，以及《電子設計技術》雜志編輯委員會之業界專家組成的評審小組確定，《電子設計技術》雜志讀者也作出投票。
　
　　徐夢嵐稱：“ 我們很榮幸FM25V10贏得這一聲望卓著的獎項，獲得中國電子設計社群和《電子設計技術》雜志編輯及讀者的認可。”
　
關于F-RAM V系列
　
　　Ramtron公司V系列F-RAM產品包括多種串口I2C存儲器、串口SPI存儲器和并口存儲器。V系列產品能夠實現更好的技術規格和更多的功能集。串口V系列產品備有可選的獨特的64位序列號，由一個16位客戶ID、一個40位制造序列號，以及需要獨特的電子編號的8位循環冗余碼系統校驗所組成，提供了更高的安全性。