2024年12月10日，功率半導(dǎo)體大廠安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。

SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來(lái)常用的現(xiàn)成驅(qū)動(dòng)器。綜合這些優(yōu)勢(shì)， SiC JFET的采用能夠加快開(kāi)發(fā)速度，減少能耗并降低系統(tǒng)成本，為電源設(shè)計(jì)人員和數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商提供顯著的價(jià)值。

“隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。”安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示，“隨著Qorvo業(yè)界領(lǐng)先的SiC JFET技術(shù)的加入，我們的智能電源產(chǎn)品組合將為客戶提供多一種優(yōu)化能耗，并提高功率密度的選擇。”

該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2025年第一季度完成。

安森美表示，收購(gòu)Qorvo的SiC JFET業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide，預(yù)計(jì)將在5年內(nèi)為安森美帶來(lái)13億美元的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。