11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開始量產全球最高的 321 層 1Tb（太比特，與 TB 太字節不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存。
據介紹，此 321 層產品與上一代相比數據傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%，并且數據讀取能效也提高 10% 以上。
SK 海力士表示：“公司從 2023 年 6 月量產當前最高的上一代 238 層 NAND 閃存產品，并供應于市場，此次又率先推出了超過 300 層的 NAND 閃存，突破了技術界限。計劃從明年上半年起向客戶提供 321 層產品，由此應對市場需求。”
據介紹，SK 海力士在此次產品開發過程中采用了高效的“3-Plug”工藝技術，克服了堆疊局限。
查詢獲悉，該技術分三次進行通孔工藝流程，隨后經過優化的后續工藝將 3 個通孔進行電氣連接。在其過程中開發出了低變形材料，引進了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術。
此外，SK 海力士技術團隊也將上一代 238 層 NAND 閃存的開發平臺應用于 321 層，由此最大限度地減少了工藝變化，與上一代相比，其生產效率提升了 59%。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：[email protected]。