去年底臺積電宣布3nm量產，預計今年年中之后在終端層面開始大規模應用。
隨后有業內專家透露，臺積電3nm的良率可達80%，非常可觀。 然而，提前半年投產3nm的三星，則有些尷尬，據說良率僅20%。這個表現，難怪沒有大廠敢下單。
雖說三星上馬了GAA晶體管，技術難度高算是情有可原，然而和臺積電差距這么大顯然不是長久之計。
據DT報道，三星正在調整的一個優化方案是，在3nm EUV光刻中引進穿透率達90%的掩模保護膜，供應商是本土公司S&S Tech。 EUV光刻與此案的ArF（氟化氬）曝光設備不同，光反射到鏡子后，再到晶片，因此光源損失很大。要想使光源損失降到最低，必須使用穿透率超過90%的EUV用保護膜，從而保護光罩。
三星這一調整，能否有效提高3nm GAA芯片的良率，還有待檢驗。
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