在日本研發(fā)成功無需光刻機(jī)的NIL工藝之后，近日美國(guó)一家企業(yè)Zyvex Labs 也宣布推出無需ASML的芯片制造工藝，并且制造工藝可達(dá)到0．768nm，打破了當(dāng)前光刻機(jī)預(yù)期的1．8nm工藝極限，這對(duì)于ASML來說無疑是重大打擊。

全球各個(gè)經(jīng)濟(jì)體研發(fā)無需光刻機(jī)的工藝，在于當(dāng)下的光刻機(jī)實(shí)在太貴了，第一代EUV光刻機(jī)的價(jià)格達(dá)到1．2億美元，第二代EUV光刻機(jī)達(dá)到4億美元，昂貴的芯片制造設(shè)備正在快速推高芯片制造的成本。

此前臺(tái)積電曾計(jì)劃量產(chǎn)的3nm工藝最終沒有一個(gè)客戶接受，除了該工藝量產(chǎn)時(shí)間晚、性能不達(dá)標(biāo)之外，還在于它的成本太高了，之前愿意采用該工藝的客戶僅有Intel和蘋果；至于三星的3nm工藝則沒有公開客戶，普遍認(rèn)為采用了三星3nm工藝客戶規(guī)模也不會(huì)太大。

如此情況下，芯片行業(yè)已開始探索無需光刻機(jī)的芯片制造工藝，進(jìn)而降低芯片制造的成本。日本無疑是開創(chuàng)者，日本開發(fā)的NIL工藝已投入實(shí)際生產(chǎn)，被鎧俠用于生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，近期日本方面宣布NIL工藝已推進(jìn)至10nm以下，預(yù)計(jì)NIL工藝可以推進(jìn)至5nm。

如今美國(guó)的Zyvex也宣布推出了無需光刻機(jī)的芯片制造工藝，意味著通過技術(shù)變革是可以在當(dāng)前以光刻機(jī)作為主要芯片制造設(shè)備的工藝有更多途徑，尤為可喜的是Zyvex的工藝可以做到比以ASML的第二代EUV光刻機(jī)所能達(dá)到的1．8nm更先進(jìn)，這可能會(huì)要了ASML的命。

其實(shí)ASML稱霸光刻機(jī)市場(chǎng)也不過是自2008年開始，此前光刻機(jī)市場(chǎng)的兩強(qiáng)是日本的佳能和尼康，ASML通過與臺(tái)積電研發(fā)浸潤(rùn)式光刻機(jī)，共同取得了巨大的成功，ASML成為光刻機(jī)市場(chǎng)的老大，臺(tái)積電則在芯片制造工藝居于全球領(lǐng)先水平，而日本的佳能和尼康則迅速衰落。

ASML的崛起其實(shí)也證明了技術(shù)的變革可以迅速成就一家企業(yè)，當(dāng)然也會(huì)導(dǎo)致原來的贏家迅速衰落，同樣的如今隨著芯片制造技術(shù)的變革，那么ASML也是有可能迅速衰落的，正所謂后浪推前浪，前浪死在沙灘上。

ASML發(fā)展的浸潤(rùn)式的光刻機(jī)如今也已有近20年時(shí)間了，這近20年時(shí)間，ASML一直沿著浸潤(rùn)式光刻機(jī)的方向發(fā)展，并未有取得新的技術(shù)變革，然而正如上所述延續(xù)這條技術(shù)路線，導(dǎo)致芯片制造工藝的成本越來越高，到如今已經(jīng)高到太多芯片企業(yè)已無法承受的地步。

日本研發(fā)NIL工藝和美國(guó)Zyvex研發(fā)的無需光刻機(jī)的芯片制造工藝，意味著全球芯片制造技術(shù)又已經(jīng)到了變革的前夜，隨著新的芯片制造技術(shù)到來，ASML的光刻機(jī)業(yè)務(wù)或許也就到了終結(jié)的時(shí)候了，ASML或許也將迅速步佳能和尼康的后塵而衰落。

日本研發(fā)NIL工藝和美國(guó)Zyvex研發(fā)先進(jìn)工藝，對(duì)于中國(guó)芯片制造業(yè)來說無疑是重大啟發(fā)，意味著推進(jìn)無需光刻機(jī)的制造工藝正日益成熟，中國(guó)完全可以撇開ASML研發(fā)類似的無需光刻機(jī)的工藝，一旦中國(guó)取得成功，那么中國(guó)芯片制造業(yè)將可以實(shí)現(xiàn)彎道超車，這或許會(huì)讓ASML瑟瑟發(fā)抖吧。

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