2022 年 6 月 30 日，中國—— 依托在串行EEPROM技術領域的積累和沉淀，意法半導體率先業界推出了串行頁EEPROM （Serial Page EEPROM）。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業界，前所未有。意法半導體新的串行頁EEPROM產品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當的時候增加16Mbit 和 8Mbit 產品。
這個創新架構讓設計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數據，這種組合在以前是沒有的。更高的存儲器集成度可以減少終端產品的物料清單（BoM）成本，縮短上市時間，增加應用價值，并實現尺寸更小的超低功耗模塊，從而延長電池使用壽命。這些器件非常適合實現多合一非易失性存儲器，用于工業物聯網模塊、可穿戴設備、醫療健康、電子價簽、智能表計和 5G 光纖模塊等新系統設計。
作為一個全新的開發成果，串行頁EEPROM 整合意法半導體的e-STM 40nm非易失性存儲器（NVM）單元專利技術與新的智能存儲頁架構，兼備高存容量、字節擦寫靈活性和高耐擦寫次數，既有利于固件管理，又能簡化數據記錄。新產品還具有讀取、擦除和寫入時間短的特點，上傳下載速度快可以降低制造成本，減少應用停機時間。快速上電和四路輸出讀操進一步加快應用喚醒速度。
集成這種新的簡化的存儲器可優化企業擁有成本，提高產品易用性，簡化軟件開發，提升產品可靠性。串行頁 EEPROM是一個成本比 FRAM 更低的非易失性存儲器解決方案，功耗比串行閃存（serial Flash）更低，功能和易用性比Dataflash產品更好。
詢價和申購樣片，請聯系意法半導體銷售代表。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：[email protected]。