熟悉存儲行業的讀者應該知道，東芝公司的舛岡富士雄在1987年發明了NAND閃存。而后，這種存儲產品便在市場上蓬勃發展，到了智能手機時代，NAND Flash更是大放異彩。

　　據中國閃存市場ChinaFlashMarket預估，2020年全球NAND Flash市場銷售規模超過550億美元，較2019年增長21%，全球NAND Flash GB當量更達到4000億GB當量，年增幅31%。當中很大一部分是由智能手機所貢獻的。

　　不過進入最近幾年，因為智能手機波動比較大，很多人對NAND Flash的未來產生了疑問，但在由東芝存儲業務更名后成立的鎧俠看來，NAND Flash市場還是前景看好。

　　一方面，雖然智能手機短期走弱是不爭的事實，但從長期看來，在5G的推動下，智能手機的閃存需求量還將繼續增長；另一方面，疫情的出現改變了人們工作生活的方式，加上當前的科技發展浪潮，數據中心的需求必將水漲船高，這勢必會帶動閃存的需求；第三，隨著汽車往更高級別的自動駕駛演進，自不然會有更高容量的閃存需求。

　　這也是鎧俠看好的三大存儲機遇。作為行業領先的專家，他們已經在產能和技術方面做好了全方位的規劃。

　　首先看技術方面，這是鎧俠賴以生存的根本。只要擁有了這些，鎧俠才有面向未來的底氣。而要談鎧俠的閃存技術，BiCS是必然不能錯過的，因為這是鎧俠一切閃存技術的基礎。

　　官方資料顯示，這是他們在2007年推出的3D閃存技術。而到了今年五月，則升級到了第六代。據介紹，這是一個162層的3D閃存技術。是他們迄今為止密度最高、最先進的3D閃存技術，采用了廣泛的技術和制造創新。

　　這款第六代3D閃存具有超越傳統八列存儲孔陣列的先進架構，與第五代技術相比，平面單元陣列密度最多提高了10%。這種平面方向上的細微化技術進步與162層垂直堆疊相結合，裸片尺寸與112層堆疊技術相比減少40%，從而優化了成本。

　　鎧俠和西部數據團隊還應用了Circuit Under Array CMOS配置和4Plane操作，與上一代相比，這兩項技術在寫性能方面提高了近2.4倍，在讀取延遲方面縮短了10%。此外，I/O性能也提高了66%，使下一代接口能夠支持不斷增長的對更快傳輸速率的需求。

　　總體而言，與上一代相比，新的3D閃存技術降低了每比特成本，并且將每片晶圓可制造的比特數提高了70%。鎧俠和西部數據將繼續推動創新，確保持續細微化以滿足客戶及其多樣化應用的需求。

　　從鎧俠BiCS，或者三星、美光還是英特爾的3D閃存的發展看來，現在廠商都已經在追求更高的層數，從垂直方向發展閃存。但正如鎧俠方面所說，雖然有行業專家指出3D閃存可以堆疊到1000層，但他們隨著堆疊層數的增加，制造閃存的成本和時間會提升。為此他們也開始探索往橫向發展3D閃存。

　　鎧俠株式會社技術執行官柳茂知在閃存峰會的演講上也表示：“部分人可能認為堆疊層數是3D NAND容量增長的最重要參數，但是其實并不完全正確，沒有必要以厚度增加為代價一味增加堆疊層數。”他進一步指出，鎧俠也十分注重平面密度提升。“一直到BiCS 5閃存芯片，鎧俠都是采用CNA結構，即CMOS電路布置在存儲陣列旁邊，因為這種結構可以最大程度縮短生產時間，優化晶圓廠產出。”柳茂知強調。

　　但來到BiCS6 162層閃存芯片中，鎧俠開始采用CMOS電路配置在存儲陣列下方的CUA結構。據了解，這種設計的芯片厚度會大于CAN結構，但鎧俠表示，從單片晶圓中產出的芯片數量的增加可以彌補生產時間變長的影響。面向未來鎧俠后續還將引入CBA結構，即CMOS／存儲陣列鍵合，存儲陣列和周邊電路會分別生產。最終，將兩片晶圓鍵合在一起以形成一個存儲器芯片。

　　除此以外，PLC和Twin BiCS也是鎧俠提升平面存儲密度的重要途徑。

　　所謂PLC，是penta level cell的簡稱，這是一種存儲5電位的設計。但鎧俠并不滿足于此，在之前的學術會議上，鎧俠還談到了存儲6電位的HLC（hexa level cell）和存儲8電位的OLC（octa level cell）。

　　至于Twin BiCS，則是鎧俠在2019年推出一個閃存新技術。據介紹，這是全球首個3D半圓形分裂浮柵極閃存單元。其使用的技術主要有半圓形、分裂、浮柵極，簡單來說就是將傳統的浮柵極分裂為兩個對稱的半圓形柵極，利用曲率效應提高閃存P/E編程/擦除過程中的性能。

　　在學術會議上，鎧俠還談到過一個叫做晶圓級SSD的設想，希望能夠用生產出來的整個晶圓當做SSD硬盤用。

　　但我們必須強調一下，鎧俠上述的設想都是他們對于技術未來的設想，現在只是處于最初始的階段。但透過這些“異想天開”，我們看到了閃存的無限可能。

　　基于上述閃存技術和產品，鎧俠打造了面向智能手機和數據中心等市場的豐富產品線。例如面向智能手機有UFS系列產品；面向企業級應用有SAS SSD、PCIE Gen 4 SSD、EDSFF E3S和E1S SSD和低延遲SSD。鎧俠還將推出今年第四季度推出支持PCIe Gen5及EDSEF E3.S接口的企業級SSD—CD7系列；面向汽車市場，除了規劃了UFS產品以外，鎧俠方面表示，為了滿足汽車更高的容量需求，公司正在與合作伙伴探討SSD在汽車上的應用。

　　有了領先的產品固然重要，但是否有適當的產能規劃則是存儲企業能夠騰飛的關鍵。而他們也的確面向現在的市場現狀和趨勢做好了充分的準備。

　　根據閃存市場ChinaFlashMarket數據，今年上半年，鎧俠約占全球NAND Flash市場份額19%，排名第二。從鎧俠技術執行官柳茂知早前在閃存峰會上的介紹我們得知，這些閃存芯片大多數是在日本四日市（Fab N-Y2, Y3, Y4, Y5, Y6五棟無塵廠房）和巖手縣北上市（K1）生產的。

　　縱觀全球閃存廠商的規劃，無不在大力投資擴產，鎧俠自然也不甘人后。

　　據《日刊工業新聞》在今年五月披露，鎧俠預計將投資高達約2兆日圓（約183.7億美元）來提高3D NAND的產能。當中包括在巖手縣北上市新建K2工廠，估計其規模可能將是K1廠房的2倍，計劃2023年開始營運。此外，鎧俠在日本四日市也正在新建Fab7工廠，該工廠的建設分為兩個階段，第一階段的建設計劃于2022年春季完成，用于生產先進的BiCS FLASH。

　　正如鎧俠所說，存儲是一個有周期性的產品。但從現狀看來，他們似乎已經運籌帷幄。