由于疫情尚未平復(fù),臺積電依然沿用去年的線上模式舉辦這次論壇。

在本周舉行的臺積電2021年技術(shù)研討會上,臺積電CEO魏哲家分享其先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù)、3DFabric先進(jìn)封裝與芯片堆疊等方面的最新進(jìn)展。

臺積電CEO魏哲家在大會上說道:“數(shù)字化轉(zhuǎn)型為半導(dǎo)體行業(yè)開辟了一個(gè)充滿機(jī)遇的新世界,我們的全球技術(shù)研討會強(qiáng)調(diào)了我們增強(qiáng)和擴(kuò)展技術(shù)組合的許多方法,以釋放客戶的創(chuàng)新?！?/p>

首先,臺積電將其領(lǐng)先的工藝節(jié)點(diǎn)分為三個(gè)產(chǎn)品家族:7nm、5nm和即將推出的3nn工藝節(jié)點(diǎn)。隨著許多客戶遷移到更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn),7nm產(chǎn)能增速放緩,預(yù)計(jì)2021年產(chǎn)能僅增加14%,與曾經(jīng)16nm工藝系列產(chǎn)能進(jìn)展類似。與之對應(yīng)的,目前代工廠主要專注于5nm和即將推出的3nm芯片產(chǎn)品。

在研討會上,臺積電官方介紹了5nm工藝新成員N5A。N5A工藝旨在應(yīng)對當(dāng)今對計(jì)算能力需求不斷增加的汽車應(yīng)用。由于有臺積電汽車設(shè)計(jì)平臺的支持,N5A計(jì)劃于2022年第三季度上市。

同時(shí),臺積電透露了其4nm和3nm的最新進(jìn)展。4nm加強(qiáng)版采用與N5幾乎近相同設(shè)計(jì)法則,在性能、功耗和集體管密度上均進(jìn)一步提升,通過邏輯的光學(xué)微縮、標(biāo)準(zhǔn)單元庫的改進(jìn)和設(shè)計(jì)規(guī)則的推動,N4的晶體管密度較N5提升6%。臺積電還聲稱,N4自2020年技術(shù)研討會上宣布以來進(jìn)展順利,預(yù)計(jì)2021年第三季度風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。

而3nm方面,依靠業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的FinFET晶體管架構(gòu),得以實(shí)現(xiàn)最佳性能、功耗和成本效益,與N5相比,臺積電N3性能提升15%、功耗降低30%、邏輯密度增加70%,有望在2022年下半年開始量產(chǎn),同時(shí)成為世界上最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)。

隨著臺積電3nm開始量產(chǎn),可以預(yù)測各家手機(jī)廠商的旗艦手機(jī)SoC也將更新至3nm。不過射頻芯片沒有像手機(jī)SoC制程一樣頻繁升級,依然使用16nm左右制程,但這一局面可能會在未來有所改變。