《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電子元件 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于全物理模型的模塊級(jí)SRAM的SEU仿真方法
基于全物理模型的模塊級(jí)SRAM的SEU仿真方法
2020年電子技術(shù)應(yīng)用第6期
彭惠薪,劉 琳,鄭宏超,于春青
北京微電子技術(shù)研究所,北京100076
摘要: 隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和工藝尺寸的降低,單元器件的尺寸逐漸減小,使得單粒子電荷共享和單粒子翻轉(zhuǎn)等效應(yīng)日益嚴(yán)重,增加了抗輻射加固模塊級(jí)SRAM設(shè)計(jì)難度,因此需要一套更為完備的仿真方法對(duì)模塊級(jí)SRAM的單粒子效應(yīng)敏感性進(jìn)行預(yù)估,為電路加固設(shè)計(jì)提供依據(jù)和建議。基于模塊級(jí)SRAM的單元結(jié)構(gòu)和電路版圖,利用Cogenda軟件構(gòu)建了模塊級(jí)SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)仿真方法,對(duì)其敏感性進(jìn)行分析,獲得其單粒子翻轉(zhuǎn)LET閾值,并與重離子實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,仿真誤差為13.3%。
中圖分類號(hào): TP302.8
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.200002
中文引用格式: 彭惠薪,劉琳,鄭宏超,等. 基于全物理模型的模塊級(jí)SRAM的SEU仿真方法[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2020,46(6):51-54.
英文引用格式: Peng Huixin,Liu Lin,Zheng Hongchao,et al. The SEU simulation of module-level SRAM based on full physical model[J]. Application of Electronic Technique,2020,46(6):51-54.
The SEU simulation of module-level SRAM based on full physical model
Peng Huixin,Liu Lin,Zheng Hongchao,Yu Chunqing
Beijing Microelectronics Technology Institute,Beijing 100076,China
Abstract: With the development of technology and the decrease of the process size, the scale of the single memory cell becomes smaller, causing the charge sharing and the SEU more serious, and increasing the difficulty of radiation harden design. Therefore, the accurate simulation for estimating the SEU of module level SRAM is needed to provide basis and guidance for radiation harden design. This paper summarizes the structure and the layout of SRAM, proposes a simulation of the SEU of module level SRAM using Cogenda for sensitivity analysis and the SEU LET threshold estimate. Comparison between the simulation and the heavy ion tests shows that the difference is about 13.3%.
Key words : SRAM;single event upset;radiation harden;sensitivity analysis

0 引言

    隨著數(shù)字電路工藝的不斷發(fā)展,單元器件的尺寸逐漸縮短,使得單粒子電荷共享和單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset,SEU)等效應(yīng)日益嚴(yán)重[1-2],增加了抗輻射加固模塊設(shè)計(jì)難度,因此需要設(shè)計(jì)者結(jié)合版圖和模塊級(jí)SRAM的電路結(jié)構(gòu),在電路面積和性能兩方面進(jìn)行優(yōu)化。優(yōu)化后模塊級(jí)SRAM電路的單粒子效應(yīng)翻轉(zhuǎn)閾值,需要通過(guò)建模和仿真來(lái)預(yù)估。現(xiàn)有的仿真方式主要有雙指數(shù)電流注入、分段式電流源輻射仿真等[3],由于兩者仿真結(jié)果差異較大,很難形成共識(shí)。因此需要提出一種共性的輻射效應(yīng)仿真方法和步驟,在模塊設(shè)計(jì)完成后進(jìn)行完整的輻射效應(yīng)仿真,以完善現(xiàn)有的模塊級(jí)數(shù)字化設(shè)計(jì)流程。

    為了保證電路的抗輻射能力,抗輻射加固的模塊級(jí)電路設(shè)計(jì)流程中,需要對(duì)模塊級(jí)電路的加固設(shè)計(jì)進(jìn)行評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)的關(guān)鍵點(diǎn)在于電路結(jié)構(gòu)敏感點(diǎn)分析及電路敏感性仿真[4-6]。模塊級(jí)SRAM電路敏感節(jié)點(diǎn)與其電路結(jié)構(gòu)相關(guān),通過(guò)分析其受輻照后存儲(chǔ)單元發(fā)生翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的內(nèi)部機(jī)理,可以確定一個(gè)或多個(gè)敏感節(jié)點(diǎn)的位置。而模塊級(jí)SRAM電路的敏感性則需通過(guò)仿真,模擬各個(gè)節(jié)點(diǎn)在受到重離子輻照后的電荷收集情況,并通過(guò)引起翻轉(zhuǎn)的重離子LET值及翻轉(zhuǎn)的次數(shù)對(duì)加固設(shè)計(jì)的好壞進(jìn)行預(yù)估評(píng)價(jià)。

    本文提出一種研究模塊級(jí)SRAM電路單粒子翻轉(zhuǎn)的仿真方法。首先根據(jù)模塊級(jí)SRAM電路結(jié)構(gòu),并對(duì)其敏感節(jié)點(diǎn)進(jìn)行分析,根據(jù)分析結(jié)果,建立包含敏感節(jié)點(diǎn)的三維物理模型,并確定粒子樣本的入射位置。同時(shí),進(jìn)行粒子輸運(yùn)與能量沉積模擬,利用包含敏感節(jié)點(diǎn)的三維物理模型和粒子輸運(yùn)與能量沉積模擬聯(lián)合仿真的方法,進(jìn)行模塊級(jí)SRAM電路單粒子翻轉(zhuǎn)的仿真研究。最后對(duì)整個(gè)模塊級(jí)SRAM電路區(qū)域進(jìn)行多次單粒子事件的掃描仿真,用來(lái)估算出存儲(chǔ)單元電路的SEU敏感截面。




論文詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)下載http://www.rjjo.cn/resource/share/2000002842




作者信息:

彭惠薪,劉  琳,鄭宏超,于春青

(北京微電子技術(shù)研究所,北京100076)

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。
主站蜘蛛池模板: 成年人在线观看网站 | 精品九九久久国内精品 | 欧美精品xxx| 亚洲国产精品不卡毛片a在线 | 日本一级特黄a大片 | 996re免费热在线视频手机 | 国产高清精品一区 | 欧美一区二区视频在线观看 | 一本久久道 | 黄色毛片视频在线观看 | 成人欧美视频在线观看 | 国内精品伊人久久久影视 | 久久久久无码国产精品一区 | 成年人在线观看免费 | 色婷婷色综合激情国产日韩 | 色三级大全高清视频在线观看 | 另类女最新视频 | 女人张开腿让男人桶视频 | 国产成人精品综合久久久 | 国产一级一片免费播放视频 | 模特精品一区二区三区 | 精品日韩在线视频一区二区三区 | 亚洲99在线的 | 国产中文字幕视频 | 99草精品视频 | 国产精品综合一区二区 | 国产精品99久久久久久人 | 俺来也俺来也天天夜夜视频 | 精品午夜寂寞影院在线观看 | 福利视频黄| 成人欧美一区二区三区视频xxx | 久久久99精品免费观看精品 | 欧美69精品国产成人 | 欧美区一区二区三 | 国内久久| 久草热久草在线 | 中文字幕国产亚洲 | 欧美三级色 | 红色记忆 | 久热精品男人的天堂在线视频 | 午夜天堂视频 |