日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2（HBM2E）存儲芯片。
第三代HBM2存儲芯片單顆最大容量16GB，由16Gb的單Die通過8層堆疊而成，可實現16GB的封裝容量，并確保3.2Gbps的穩定數據傳輸速度。
三星方面表示，新型16GB HBM2E特別適用于高性能計算（HPC）系統，并可幫助系統制造商及時改進其超級計算機、AI驅動的數據分析和最新的圖形系統。
三星預計第三代HBM2存儲芯片將在今年上半年開始量產。三星將繼續提供第二代Aquabolt產品陣容，同時擴展其第三代Flashbolt產品。
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