全球第二大NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商鎧俠（Kioxia，舊稱東芝記憶體）采用3D 架構的NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代產品現身，堆疊112 層、記憶容量將較現行96 層產品提高2 成。

　　鎧俠1月31日宣布，已研發出3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第5代產品，采用堆疊112層制程技術，且已完成試作、確認基本動作。

　　該款堆疊112 層的3D NAND 試作品為512Gb（64GB），采用3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技術的產品，預計將在2020 年第一季進行樣品出貨，除將用來搶攻需求持續擴大的資料中心用SSD、商用SSD、PC 用SSD 及智能手機等市場外，也將用來搶攻5G、人工智能（AI）、自動駕駛等新市場需求。

　　和鎧俠目前已量產的96 層3D NAND 產品相比，112 層3D NAND 每單位面積的記憶容量提高約20%，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每bit 成本也下滑。

　　鎧俠指出，該款112 層3D NAND 產品為該公司和合作伙伴美國Western Digital（WD）所攜手研發完成，今后將利用雙方共同營運的四日市工廠以及北上工廠進行生產，且今后也計劃推出采用堆疊112 層制程技術的1Tb（128GB）TLC 產品以及1.33Tb 的4bit/cell （QLC：Quadruple-Level Cell）產品。

　　關于上述112 層3D NAND 的量產時間，WD 宣布，「預定將在2020 年下半年」。

　　鎧俠競爭對手南韓三星電子已于2019 年6 月開始量產堆疊100 層以上的3D NAND 產品。

　　東芝于2018 年6 月將鎧俠獨立出去，并賣給由美國貝恩資本主導的「日美韓聯盟」。東芝目前仍持有鎧俠40.2% 股權。

　　根據Yahoo Finance 的報價顯示，截至臺灣時間3 日13 點41 分為止，東芝上揚0.14% 至3,505 日圓。

　　日經新聞1 月29 日報導，據關系人士指出，鎧俠IPO（首次公開發行）上市時間預估將從原先規劃的2019 年度內（2020 年3 月底前）推延至2020 年10 月以后。

　　鎧俠于2019 年11 月13 日公布2019 年Q3（7-9 月）財報：因出貨量大增，每GB 單價下滑幅度趨緩，而因停電導致「四日市工廠」部分產線停止生產的影響雖持續，但因生產回復時間較預期來得快，影響金額大縮，激勵合并營收較前一季（2019 年4-6 月）勁揚11.6% 至2,390 億日圓，營損額自前一季的989億日圓大縮至658 億日圓，凈損額也自952 億日圓大縮至560 億日圓。

　　展望今后市場動向，鎧俠表示，因供給端庫存水準適當化，加上來自需求端的資料中心投資回復及智慧手機搭載的記憶體數量增加，一般認為2020 年供需將維持穩定。

　　鎧俠攜手美國WD 在日本巖手縣興建的北上工廠第一廠房（以下稱K1）已于2019 年10 月竣工，預定在2020 年開始進行生產。K1 將生產使用于資料中心/ 智能手機/ 自動駕駛等用途，堆疊96 層制程技術的3D NAND Flash 產品。