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2019年Q1 NAND Flash 季度跌幅度或達20%

2019-01-11
關鍵詞: NandFlash 三星

  根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場經歷全年供過于求,且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現仍難見起色,預計產能過剩難解。在此情況下,供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產進程,避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。

  DRAMeXchange調查指出,2018年因供過于求難以遏制,韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調近10%,但供需失衡的情形仍無法逆轉。2019年美系廠商減少資本支出,使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續下滑約2%,總支出規模約為220億美元。

  受到供應商擴產計劃調整的影響,盡管各供應商已于2018年第四季起量產92/96層3D NAND,但直至2019年底將僅占約32%的位元產出,而64/72層的產出占比則超過50%。供應商制程推進的放緩將導致2019年NAND Flash位元成長僅約38%,相比2018年逾45%的水平明顯下降。

  觀察各供應商產能調整,DRAMeXchange指出,三星持續減產2D NAND產能,加上92層制程會消耗更多的廠房空間,2019年運轉產能將較2018年底下調,位元產出成長率降至約35%。由于三星全球市占率約3成,三星位元產出成長率的放緩對全球產出成長影響較大。

  SK海力士、東芝/西數分別有M15以及Fab 6的新廠擴建,但同樣受到減產計劃或轉產舊制程的影響,產出年成長率或低于預期。SK海力士和東芝/西數原先位元產出成長率預估值分別約為50%與40%水平,DRAMeXchange預期會各自下修到50%以下,以及約35%的水位,以反映今年市場需求的急凍;美光的新加坡新廠2020年才正式量產,因此全年產能幾乎維持不變;英特爾除了填滿大連廠產能,并無宣布其他擴產規劃。美光與英特爾陣營2019年整體位元產出成長接近40%水平,相較2018年45%以上的成長幅度明顯收斂。

  從2019年NAND Flash價格走勢來看,DRAMeXchange指出,由于原廠在各產品線的合約價報價跌幅皆明顯高于預期,顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。因此,NAND Flash 2019年第一季市場均價季度跌幅度可能從原先估計的10%,一舉提高至20%水平,第二季報價可能將續跌將近15%。下半年有旺季需求,跌幅可望略微收斂,但各季價格跌幅仍將維持在10%左右水平,還要看原廠是否能再進一步降低自身產出水位。

  綜上所述,DRAMeXchange認為,今年旺季若仍無足夠需求動能支撐,NAND Flash市場均價跌幅則可能擴大至50%水平,近乎腰斬。


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