更低損耗和更快開關帶來高能效、節(jié)省空間的方案和更低系統(tǒng)總成本

　　21IC訊 安森美半導體(ON Semiconductor)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現代汽車應用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優(yōu)勢。

　　SiC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流，開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC成為越來越多的高性能汽車應用的極佳選擇。

　　安森美半導體的新的SiC二極管采用流行的表面貼裝和通孔封裝，包括TO-247、D2PAK和DPAK。FFSHx0120 1200伏特(V)第一代器件和FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢復、低正向電壓、與溫度無關的電流穩(wěn)定性、極低漏電流、高浪涌電容和正溫度系數。它們提供更高的能效，而更快的恢復則提高了開關速度，從而減小了所需的磁性元件的尺寸。

　　為了滿足強固性要求，并在汽車應用惡劣的電氣環(huán)境中可靠地工作，二極管的設計能夠承受大的浪涌電流。它們還包含一種提高可靠性和增強穩(wěn)定性的獨特專利終端結構。工作溫度范圍為-55℃至175℃。

　　安森美半導體高級總監(jiān)Fabio Necco說：“安森美半導體推出符合AEC車規(guī)的器件，擴展了肖特基二極管系列，為汽車應用帶來SiC技術的顯著優(yōu)勢，使客戶能夠達到這一行業(yè)對性能的嚴苛要求。SiC技術非常適用于汽車環(huán)境，提供更高的能效、更快的開關、更好的熱性能和更高的強固性。在講究節(jié)省空間和重量的領域，SiC更高的功率密度有助于減少整體方案的尺寸，以及更小的磁性器件帶來的相關優(yōu)勢，受客戶所歡迎。”

　　安森美半導體將在PCIM期間展示這些新的器件以及公司在寬禁帶、汽車、電機控制、USB-C供電、LED照明等領域的方案和用于工業(yè)預測性維護應用的智能無源傳感器(SPS)。

　　安森美半導體還將展示領先行業(yè)的先進SPICE模型，該模型易于受到程序參數和電路布局擾動的影響，因此相對于當前行業(yè)建模能力是一大進步。使用該工具，電路設計人員可提早在仿真過程評估技術，而無需經過昂貴和耗時的制造迭代。安森美半導體強固的SPICE預測模型的另一個好處是它可連接到多種行業(yè)標準的仿真平臺端口。