三星電子今天宣布，已開始大規(guī)模生產業(yè)內首款用于游戲筆記本電腦的單條32GB DDR4 SoDIMM(小型雙列直插式內存模塊)內存。新的SoDIMM內存基于10納米工藝技術，能夠顯著提高容量和速度的同時并降低能耗。
本文引用地址: http://www.21ic.com/news/ce/201805/771770.htm
與三星2014年推出的基于20nm DDR4的16GB SoDIMM相比，新款32GB模塊的容量翻了一番，速度提高了11%，提升至2,666Mbps，能效提高了約39%。
新的內存可以允許制造商打造速度更快的游戲本，并且使其電池續(xù)航時間更長，同時保持現(xiàn)有的PC配置。
三星電子內存市場高級副總裁Sewon Chun表示：“三星的32GB DDR4 DRAM模塊將為筆記本電腦帶來前所未有的游戲體驗。我們將繼續(xù)為包括高端筆記本電腦和臺式機在內的所有關鍵細分市場提供最先進的DRAM產品組合，并提高其速度和容量?！?/p>
三星表示，配置有兩個32GB DDR4模塊的64GB筆記本電腦在主動模式下功耗不到4.6W，閑置時功耗低于1.4W。與目前領先的配備16GB模塊的游戲本相比，這分別降低了大約39%和超過25%的用電量。
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