4月15日，長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司CEO王寧國高調現身合肥集成電路重大項目發布會表示，合肥長鑫作為國內進展最快的存儲器生產基地，近日12吋基地約300臺研發設備已基本全部到位，裝機后今年下半年將全力投片試生產。
王寧國透露，合肥DRAM一期已于2018年1月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝；2018年底將啟動生產8GB DDR4工程樣品；2019年底實現單月產能2萬片；2020年開始規劃二廠建設；2021年完成17納米技術研發。
未來，長鑫睿力 DRAM IDM 平臺還將主要采購國產半導體設備與材料。
資料顯示，長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目正加快建設，項目投產后預計將占據世界DRAM市場約8%的份額，填補國內DRAM市場的空白，合肥也因此將跨入世界級存儲器制造重鎮之列。
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