日前，IBM聯(lián)合三星宣布了一項(xiàng)名為nanosheets的晶體管制造技術(shù)。該技術(shù)拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的FinFET架構(gòu)，采用全新的四層堆疊納米材料。這項(xiàng)技術(shù)為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎(chǔ)。IBM表示，借助該項(xiàng)技術(shù)，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里，塞下將近300億個(gè)晶體管。要知道，高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835，也才不過集成了30億個(gè)晶體管。
5nm芯片將采用與7nm芯片相同的紫外線光刻技術(shù)。不過與現(xiàn)有技術(shù)相比，新一代工藝的光波能量將高出許多，同時(shí)還支持在制造過程中持續(xù)調(diào)節(jié)芯片的功耗和性能。
IBM表示，相比目前最先進(jìn)的10nm芯片，5nm 原型芯片在額定功率下的性能可提升40%，或在同等性能下降低高達(dá)75%的能耗，而且成本更加低廉。
不過鑒于10nm工藝也才剛剛投入商用不久，7nm芯片則要等到2019年，5nm工藝仍然需要漫長(zhǎng)的等待。
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