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存儲“芯”動態(tài):美光擴產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能

2017-06-01
關鍵詞: 芯片 存儲器 高配 晶圓

多數(shù)手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標準版,而不同版本之間的差價可達到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。

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半導體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產(chǎn)品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據(jù),且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù),而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

美光計劃斥資20億美元 擴產(chǎn)廣島DRAM廠

據(jù)日經(jīng)新聞報導,美光科技計劃未兩至三年斥資20億美元,在位于日本廣島的工廠量產(chǎn)主要應用在智能手機、數(shù)據(jù)中心和自駕車的新世代動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。

報導指出,美光已在這座廠房內(nèi)增設無塵室,并準備研發(fā)13納米芯片的制程技術。該公司已買下多臺訂價數(shù)十億日元的尖端芯片制造設備進行研發(fā),預料在DRAM芯片開始量產(chǎn)后,還會添購更多設備。這座工廠原屬于爾必達(Elpida),2013年隨著爾必達一起并入美光旗下。

目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加緊研發(fā),以趕上業(yè)界龍頭韓國三星電子的腳步。和美光目前采用的16納米制程技術相比,13納米芯片裝配在單一晶圓上的數(shù)量更多,生產(chǎn)效益預料可提升逾20%。

90億美元!三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能

三星電子5月29日表示,正考慮在中國西安的生產(chǎn)基地擴充存儲芯片產(chǎn)能。因應相關產(chǎn)業(yè)對存儲芯片的需求。

三星電子發(fā)言人證實,三星電子考慮擴充西安廠的產(chǎn)能,但未提供其他細節(jié)。三星電子已對西安廠投資70億美元,生產(chǎn)3D NAND存儲芯片。這種芯片用于高端信息儲存產(chǎn)品,像是智能手機、個人電腦和服務器。

韓國媒體早先報導,三星電子正和中國官方洽談,將擴充西安廠產(chǎn)能,投資額高達10萬億韓元(89.3億美元),預定今年底前動工。2019年開始營運。


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