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Intel 3D XPoint閃存揭秘:20nm工藝

2017-02-21
關鍵詞: 英特爾 存儲

Intel、美光發布3D XPoint閃存已經一年多了,號稱性能、可靠性是NAND閃存的1000倍,容量密度是后者10倍,各種黑科技秒殺當前的閃存水平。從去年底開始有少量基于3D XPoint閃存的Optane硬盤問世,消費級容量是16/32GB,企業級有個375GB的DC P4800X系列,隨機性能確實很強大。

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不過Intel迄今為止都沒有公布過3D XPoint閃存的技術內幕,好在現在可以確定一點了,那就是375GB的DC P4800X硬盤使用的是20nm工藝。

Intel當年發布3D XPoint閃存之后并沒有透露該技術的細節,只說它是不同于NAND閃存的新型存儲技術,性能、可靠性及密度全面領先當前NAND產品。Intel不公開技術內幕大概是為了保密,業界早前也在猜測3D XPpint閃存有可能是基于PCM相變技術的,也有說是ReRAM技術的,只是這些都無法證實。

現在Computerbase網站論壇有人爆料了DC P4800X硬盤的PCN通知書,里面提到了它是基于20nm工藝的,只是Intel以往的PCN通知都是公開的,但這次需要授權用戶登錄才能看到,所以普通人也無法查閱具體細節了。

Intel使用20nm工藝制造3D XPoint閃存也不算意外,雖然在進入3D閃存之后廠商就很少公布具體的制程工藝了,大多時候只公布堆棧層數,不過大部分3D閃存使用的制程工藝都不會很先進,三星早期的V-NAND閃存使用的還是40nm工藝,幾年前的制程工藝了,聽上去落后,但實際上是好事,因為提升密度可以靠對堆棧層數,更“落后”的工藝往往有更好的可靠性。


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