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高通驍龍835規格曝光 3GHz主頻 8核設計

2016-11-28
關鍵詞: 高通 10nm 驍龍835 主頻

       高通旗艦處理器驍龍835已經曝光多次,該處理將采用三星10nm制程?,F在又有網友曝光了驍龍835規格參數,稱驍龍835的主頻為3.0GHz,并采用八核設計。

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  爆料稱,驍龍835將采用10nm八核心設計,大小核均為Kryo架構,大核心頻率3GHz,小核心頻率2.4GHz,GPU為Adreno 540,支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內存,整合了Cat.16基帶。

  高通方面還透露,驍龍835處理器還將支持全新的Quick Charge 4.0快充技術。其充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時,充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,適配范圍更廣泛。

  雖然高通表示搭載驍龍835會在明年初出貨,但要到明年二季度才能看到驍龍835手機。對此業內人士猜測,此次高通與三星合作研發,很可能意味著三星下一代旗艦機型Galaxy S8將首發驍龍835。根據早前消息三星S8的發布會時間確定為MWC2017年之前,也就是2017年2月26日前后。另按照此前生產手機的流程,三星現在已經向零組件供應商下訂單出貨,生產工作會在年底前開始。

  除了驍龍835,還有一款驍龍660也將在明年發布,該處理器同樣是八核心設計,不過制程工藝換成了14nm,架構為A73和A53組合,GPU為Adreno 512,支持2K屏。其余規格還包括雙通道LPDDR4x內存、LTE Cat.10基帶,QC4.0、以及UFS 2.1等等。

  爆料人士稱,搭載驍龍660的手機有望在明年第三季度和我們見面。

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