現(xiàn)在大部分智能手機、平板電腦、固態(tài)硬盤都采用NAND Flash作為存儲部件，NAND和以前存儲技術相比有許多優(yōu)點，存儲讀取速度快、體積小。不過隨著NAND部件存儲容量加大，其設計復雜度和存儲控制難度等都在加大。一些新型的存儲技術自然逐漸出現(xiàn)，對NAND提出了挑戰(zhàn)。阻變式存儲器（RRAM）就是其中之一，Crossbar公司是RRAM技術的領導者。

       RRAM具有許多新的特性，比如：在單芯片上實現(xiàn)太字節(jié)（terabyte）存儲，比DRAM高40倍的密度，并具備更高的性能和可靠性；更快的讀取速度；比NAND快1,000倍的寫入速度；比NAND高1,000倍的耐久性；支持高溫環(huán)境，可用于數(shù)據(jù)中心和移動設備。

Crossbar戰(zhàn)略營銷和業(yè)務發(fā)展副總裁Sylvain Dubois（左一）

Crossbar首席科學家暨聯(lián)合創(chuàng)始人盧偉教授（左二）

Crossbar首席執(zhí)行官暨聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian博士（左三）

北極光創(chuàng)投董事總經理暨Crossbar董事會董事楊磊博士（左四）  

       “現(xiàn)在有不少新型的存儲技術出現(xiàn)，我們跟它們比材料結構非常簡單，成本較低，容量可以做的很大。比如像鐵電存儲器（FRAM）一般都需要二十層左右的材料，這樣工藝也會很復雜，而我們就只需要三層。再比如，相變存儲（Phase-Change Memory）大概需要100種新材料加進代工廠，而我們只要三層結構，并且沒有任何新材料。RRAM在成本和生產方面都有著優(yōu)勢。”Crossbar首席科學家暨聯(lián)合創(chuàng)始人盧偉教授告訴《電子技術應用》記者。

       北極光創(chuàng)投董事總經理暨Crossbar董事會董事楊磊博士進一步解釋說：“對，它本身的器件結構決定了它就不可能貴，但是前提條件是你的生產良率和生產規(guī)模要達到一定的程度，但是器件簡單的東西，說實話良率只是一個時間的問題。我們現(xiàn)在良率已經非常高了。”

       和很多先進的半導體設計公司大多數(shù)是由歐美主導不同，Crossbar有很多“中國基因”。Crossbar技術首先由中國出生的盧偉博士。盧博士在RRAM領域積累了十二年的研究經驗，他先作為哈佛大學的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業(yè)的領先專家，包括基于雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統(tǒng)、神經元電路、半導體納米線設備和低維系統(tǒng)中的電子輸運。其次公司成立于2010年，由中國及全球風投投資，北極光創(chuàng)投就是中國投資者之一。最后，最近Crossbar和中國代工廠中芯國際合作采用40nm工藝準備2017年開始量產RRAM。

       雖然RRAM技術先進，存儲容量方面占據(jù)優(yōu)勢，但是初期受制于生產規(guī)模，所以價格會相對較高，將主要針對特定市場。

       盧偉透露說，我們初期會主要針對嵌入式和物聯(lián)網市場，存儲容量規(guī)格會主打8M和16M。

       Crossbar首席執(zhí)行官暨聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian博士也表示：“物聯(lián)網和可穿戴設備市場需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲的嵌入式內存模塊，也可單獨作為EEPROM內存，將是滿足這些需求的理想解決方案。”

       隨著RRAM逐漸成熟，也會逐漸進入企業(yè)市場、計算中心等行業(yè)客戶。

       為了更好地服務中國客戶，Crossbar還在近日設立了上海辦事處，負責技術轉讓和客戶的售后支持。