新聞要點(diǎn)：

　　·IC-CAP 為建立 GaN 和 GaAs HEMT 模型提供完整的 DynaFET 系統(tǒng)解決方案，同時(shí)大幅提升測(cè)量速度

　　·MBP 支持 用于FDSOI技術(shù)的BSIM-IMG模型

　　·MQA 為混合 SPICE 語(yǔ)法和16-nm TSMC 建模接口（TMI）程序庫(kù)提供支持

　　2016 年 3 月 11 日，北京――是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布，推出最新版本的器件建模和表征軟件套件：集成電路表征和分析程序（IC-CAP）2016、模型建立程序（MBP） 2016 和模型質(zhì)量檢驗(yàn)（MQA）2016。該軟件版本通過(guò)在建模和表征效率方面的改進(jìn)，使設(shè)計(jì)師能夠表征并建立半導(dǎo)體器件模型。

　　IC-CAP 2016

　　是德科技的 IC-CAP 2016 軟件是一個(gè)可為當(dāng)今半導(dǎo)體建模工藝提供強(qiáng)大表征與分析能力的器件建模程序。IC-CAP 2016 提供了完整的 DynaFET 系統(tǒng)解決方案，用于為功率放大器（PA）應(yīng)用中使用的 GaN 和 GaAs HEMT 建模。IC-CAP 包括測(cè)量和建模軟件，以提取先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ADS）DynaFET－一個(gè)自行開(kāi)發(fā)的 GaAs 和 GaN HEMT 器件模型。

　　ADS DynaFET 模型的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是其能夠精確預(yù)測(cè)由于熱量和捕獲現(xiàn)象所造成的動(dòng)態(tài)記憶效應(yīng)，這一成果反之又能為預(yù)測(cè)增益和功率增加效率（PAE）提供前所未有的精度——二者均為射頻 PA 電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)。專(zhuān)用測(cè)量軟件可使用是德科技非線性網(wǎng)絡(luò)分析儀（NVNA）收集大信號(hào)數(shù)據(jù)。這些波形代表著在不同的射頻功率、偏置點(diǎn)和輸出阻抗處所測(cè)得的動(dòng)態(tài)負(fù)載線，然后直接加載至IC-CAP 2016 的提取包。這一模型使用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ANN）來(lái)提取，并可直接在 ADS 軟件中使用。

　　IC-CAP 2016 的另一關(guān)鍵特征是為是德科技E5270、B1500A 和 B1505A 儀器驅(qū)動(dòng)程序提供和之前版本相比達(dá)三倍的測(cè)量速度的改進(jìn)。這一速度的提升有助于緩解必須要以極高精度測(cè)量大量數(shù)據(jù)所面臨的挑戰(zhàn)；該過(guò)程在此前是一個(gè)極為耗時(shí)的過(guò)程。IC-CAP 2016 還增添了新的儀器驅(qū)動(dòng)程序以支持 是德科技E4990 阻抗分析儀 和 E5061B 網(wǎng)絡(luò)分析儀。