2015年受到需求面不振、持續供過于求的影響，DRAM價格呈現顯著衰退，尤其以標準型存儲器最為明顯。TrendForce旗下存儲器儲存事業處 DRAMeXchange調查顯示，在寡占市場型態下，雖然小幅供過于求且價格持續下滑，各供應商生產仍保持紀律，未有明顯新增產能，因此延續2013年 與2014年態勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，2016年雖然受惠于來自智能手機 及服務器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升，各項終端產品仍難有爆發性的發展。DRAMeXchange預估2016年整體DRAM需求成長率約為 23%，供 給位元成長約為25%。市場仍維持小幅供過于求，DRAM單價持續下滑，各家獲利能力將大幅取決于制程轉進所造成的成本下降以及產品組合的調配。
2016年DRAM產業趨勢分析如下：
年度位元產出來自20奈米制程轉進，晶圓投片量大約持平
吳 雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，相較仍處于完全競爭的市場型態的NAND Flash健康許多。2016年的位元產出主要是來自于SK海力士（Hynix）與美光半導體（Micron） 20/21奈米的轉進，晶圓產能上，除三星（Samsung）的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會陸續啟用之外，2016年DRAM 總投片量與2015年呈現持平。
隨著 市場需求轉變以及20奈米逐漸成熟，DDR4 的生產比例越來越高。2015年由于英特爾（Intel）平臺支援度的問題，DDR4的導入主要發生在服務器端，并且已經率先在第四季取代DDR3成為主 流。DRAMeXchange預估，個人電腦/筆記型電腦端由新平臺Skylake開始采用DDR4，將會在2016年第二季起放量，成為主流解決方案。
行動式存儲器與服務器存儲器生產比重持續提升
智 慧型手機受惠于20nm制程產出的LPDDR4普及度越來越高，高階旗艦機種（除Apple以外）以3GB/4GB為標準規格。吳雅婷指出，2016年第 二季起就會有單機DRAM搭載容量上達6GB的機種問市，大幅增加行動式存儲器的需求動能。服務器存儲器亦然，受惠于20nm制程產出的DDR4普及度升 高，在高容量32GB/64GB模組成本降低，促使廠商策略性調降價格以刺激需求，有助于服務器存儲器生產比重提升。
中國進軍DRAM意圖仍在，但進入門檻高，難有進展
2016 年中國持續發展半導體的策略不變，仍將有許多并購發生，存儲器方面更是中國發展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示，與NAND Flash較為混亂的市場態勢相較，DRAM市場三強鼎立的狀態結構穩固，引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過于求，因此三強與中國合作可能性低，使得中 國欲進軍DRAM產業的困難度遠高過其他半導體產品類別。