中芯國際執(zhí)行副總裁李序武表示，28納米制程除了第一家客戶高通(Qualcomm)量產(chǎn)，博通(Broadcom)和華為旗下海思28納米也會到中芯生產(chǎn)，大陸本地IC設(shè)計公司對28納米需求更是超強。但談到臺積電到大陸設(shè)12吋晶圓廠，李序武坦言“臺積電的實力強到我每天都睡不好!”

　　李序武表示，中芯目前28納米制程良率很不錯，但仍是有改善空間，重要的是，高通愿意作為第一家量產(chǎn)28納米制程的客戶，對于中芯高度肯定，目前量產(chǎn)的28納米是PolySiON制程，下一個目標是趕快將28納米的HKMG制程做出來。很多大客戶都在等待28納米的HKMG制程，一旦量產(chǎn)，海思和博通都會來中芯投產(chǎn)。

　　除了這些國際IC設(shè)計大客戶之外，另一波絕對不容忽略的趨勢，是大陸本地IC設(shè)計公司對于28納米制程需求超強，很多本地IC設(shè)計客戶都說“只要中芯28納米HKMG就緒，隨時去投產(chǎn)”而這也意味著，其實來自客戶端的壓力逼得緊。

　　近期在種種因素考量下，臺積電也將到大陸設(shè)立12吋晶圓廠，李序武表示，臺積電技術(shù)和競爭力超強，強到讓他每天都睡不好。也期許中芯在先進制程開發(fā)和良率驅(qū)動會更加一把勁。

　　中芯日前宣布和高通、華為、比利時微電子(Imec)一起開發(fā)14納米FinFET制程，目前Imec已有一個團隊常駐在中芯廠內(nèi)，但主要技術(shù)開發(fā)重任仍是要中芯努力，Imec只是要提供一些基礎(chǔ)技術(shù)和專利，李序武也表示，這確實可以讓中芯少走一些冤枉路。

　　中芯在投入14納米FinFET制程之前，也評估過像是FD-SOI技術(shù)，這技術(shù)在2年前非常吸引人，雖然整體表現(xiàn)沒有FinFET制程好，但FD-SOI技術(shù)的優(yōu)點是相較于現(xiàn)有制程改變不多，但最后還是走FinFET制程，主要是因為多數(shù)客戶都是需要FinFET制程。

　　李序武也指出，中芯的14納米FinFET制程預(yù)計在2018年早期風險量產(chǎn)(Risk Production)，此前中芯宣布的量產(chǎn)時間點是2020年。

　　除了先進制程追著摩爾定律跑，在“超越摩爾定律”(More than Moore)布局上，看好智能型手機、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時代下MEMS感測器需求大爆發(fā)，據(jù)中芯規(guī)劃，2015年量產(chǎn)MEMS麥克風、慣性感測器(Inertial Sensing)，預(yù)計2016年量產(chǎn)壓力感測器等，一步步齊全MEMS感測器產(chǎn)品線全線技術(shù)。

　　針對未來半導體技術(shù)，李序武也指出三大技術(shù)趨勢，第一是整合型芯片，如MCU+RF/Wireless、MCU+eNVM+ RF/Wireless;第二是低功耗技術(shù)Ultra-Low Power;第三是3DIC/TSV/WLCSP等封裝技術(shù)。

　　針對RF/Wireless芯片，中芯現(xiàn)以0.11微米、65/55/20納米制程技術(shù)生產(chǎn)，未來除了既有的0.11微米制程，以及65/55納米制程，也會轉(zhuǎn)進40/28納米制程技術(shù);嵌入式存儲器Embedded NVM/MCU技術(shù)上，目前是以0.18/0/13微米LL eNVM技術(shù)為主，未來會轉(zhuǎn)進0.11微米和55/40/28納米ULL eNVM技術(shù)。

　　在電源管理芯片PMIC產(chǎn)品上，技術(shù)會由0.18~0.13微米LG/LDMOS轉(zhuǎn)到65/55納米Ultra Efficient LG/LDMOS;在影像感測器CIS上，目前以0.18~0.11微米、90~55納米制程為主，未來會轉(zhuǎn)到90納米～55/40納米3D CIS技術(shù)。

　　目前中芯國際有四個生產(chǎn)基地，12吋晶圓廠以北京和上海廠為主，北京12吋晶圓一廠月產(chǎn)能3.7萬片，制程技術(shù)為0.18微米~55納米，二廠剛開始量產(chǎn)，未來會以先進制程40~28納米為主;上海12吋廠月產(chǎn)能為1.4萬片，制程技術(shù)也是鎖定45/40~28納米;其他8吋廠有上海、深圳和天津廠。