在Galaxy S6搭載最高128GB儲(chǔ)存容量后，三星似 乎也計(jì)畫讓更多手機(jī)也能享有大容量，稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時(shí)最高儲(chǔ)存容量達(dá)128GB的3-bits-per- cell NAND Flash儲(chǔ)存元件，并且對(duì)應(yīng)每秒達(dá)260MB讀取速度表現(xiàn)，預(yù)期將使中階規(guī)格以下手機(jī)產(chǎn)品，以及多數(shù)記憶卡產(chǎn)品能在成本預(yù)算內(nèi)有更 大儲(chǔ)存容量選擇。
根據(jù)三星公 布消息，預(yù)計(jì)將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時(shí)最高儲(chǔ)存容量達(dá)128GB的3-bit NAND Flash儲(chǔ)存元件，同時(shí)讀取速度表現(xiàn)將達(dá)每秒 達(dá)260MB。雖然整體不比搭載于Galaxy S6系列機(jī)種的UFS規(guī)格有更高存取效能，但此次推出的新款NAND Flash儲(chǔ)存元件提供在成本預(yù)算 內(nèi)有更大儲(chǔ)存容量選擇，并且保有一定存取效能的使用特性。
目前三星并未說(shuō)明此項(xiàng)產(chǎn)品將在何時(shí)供貨，但預(yù)期未來(lái)將使中階規(guī)格以下手機(jī)產(chǎn)品，以及多數(shù)記憶卡產(chǎn)品能在成本預(yù)算內(nèi)有更大儲(chǔ)存容量選擇。
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