日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司的SQJ402EP 100V N溝道功率MOSFET和DG250x系列精密單片四路單刀單擲(SPST)模擬開關榮獲《中國電子商情》雜志的2014年度編輯選擇獎。

《中國電子商情》2014年度編輯選擇獎的獲獎產品是根據這些產品在中國市場上的銷售業績和技術創新選出的。Vishay的SQJ402EP和DG250x系列產品在中國市場上取得了顯著成績，分別榮獲“中國汽車電子最具競爭力方案獎”和“中國可穿戴設備最具競爭力方案獎”。

在通過AEC-Q101認證的首批TrenchFET?功率MOSFET中，采用ThunderFET?技術和只有DPAK一半大小的小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L 封裝的Vishay Siliconix SQJ402EP具有最低的導通電阻，能在汽車應用里提高效率，節省空間。MOSFET的連續漏極電流達32A，適用于發動機控制單元的噴射增壓應用和照明控制單元里照明鎮流器的反激式轉換器。SQJ402EP的典型總柵極電荷為34nC，導通電阻與柵極電荷乘積的優值系數(FOM)較低，能降低開關損耗，提高整體系統效率。

Vishay Siliconix DG2501、DG2502和DG2503采用超緊湊WCSP 4 x4球形焊點封裝，是業內最小的SPST模擬開關，在可穿戴電子設備和傳感器、便攜式醫療設備、消費類產品、工業和通信設備里能夠顯著節省空間。DG2501、DG2502和DG2503的尺寸為1.4mm x 1.4mm，間距為0.35mm，頂面分層封裝增加堅固性，尺寸比最接近的競爭器件小50%，比采用標準QFN16封轉的開關產品小95%。小尺寸和小于0.01μW的典型功耗，使這些器件能有效延長電池壽命。

自2011年起，《中國電子商情》雜志每年都頒發編輯選擇獎。在2011年，Vishay的VJ系列無磁MLCC榮獲“2011年度中國最具競爭力電容器產品獎”。2012年，Vishay的MKP1848金屬化直流聚丙烯膜電容器和Si7655DN P溝道MOSFET分別榮獲“中國最具競爭力電容器產品獎”和“中國最具競爭力功率器件產品獎”。

《中國電子商情》2014年度編輯選擇獎的獲獎產品公布在雜志的2015年1月刊上。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。