全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計(jì)，適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。
IRFH4257D采用IR的新一代硅技術(shù)和封裝專利技術(shù)，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來一流的功率密度和更低的開關(guān)損耗。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器共同操作，為單相位或多相位應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設(shè)計(jì)師可選擇能滿足其設(shè)計(jì)要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”
IRFH4257D符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和第一級(jí)濕度敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
規(guī)格
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器件 |
PQFN 封裝尺寸 |
電流 額定值 |
4.5V下的典型/ 最大導(dǎo)通電阻 |
4.5V下的典型QG (nC) |
4.5V下的典型QGD (nC) |
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IRFH4257D |
4x5 |
25A |
3.7 / 4.6 1.65 / 2.1 |
10 23 |
3.4 7.6 |
產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)請(qǐng)瀏覽IR網(wǎng)站www.irf.com。
IR簡介
國際整流器公司（簡稱 IR，紐約證交所代號(hào) IRF）是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗（電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備），是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
IR 成立于 1947 年，總部設(shè)在美國洛杉磯，在二十個(gè)國家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。