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集中火力攻FinFET 聯電確定不玩20納米

2013-07-31
關鍵詞: 納米制程 晶圓 量產

聯電將跳過20納米(nm)制程節點,全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯電已計劃在量產28納米后,直接跨過20納米節點,加速挺進更具投資效益的14納米FinFET世代,以與臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 

聯電市場行銷處處長黃克勤表示,20納米制程帶來的效益將不如從40納米演進至28納米的水準,且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案,勢將增加一筆可觀花費,已使處理器業者的導入意愿開始動搖;再加上主要晶圓代工業者皆規畫在2015年推出16或14納米FinFET制程,在多方權衡之下,聯電遂決定放緩20納米投資,專心克服14納米FinFET牽涉的材料摻雜、測試驗證和晶圓前后段混搭制程等技術挑戰,以因應即將到來的FinFET市場卡位戰。 

據悉,28納米高介電系數金屬閘極(HKMG)系一具主導性、生命周期較長的制程方案;相形之下,20納米可能成為非主流制程(Weak Node),因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過直接導入14納米FinFET,僅有一線處理器大廠為維持技術領先優勢才會計劃采用。 

事實上,聯電在今年首季即公布其未來的制程演進藍圖與主力推動技術,其中獨漏20納米規畫已現端倪。黃克勤指出,目前聯電已將火力對準中國大陸應用處理器開發商,以及智慧電視(Smart TV)和機上盒(STB)晶片商導入28納米制程的龐大需求商機,積極拉攏新客戶,以刺激旗下28納米制程營收成長。 

至于下一階段的發展策略,聯電亦已押寶14納米FinFET制程,將于2015年上市,與臺積電、格羅方德和三星等大廠展開廝殺。 

黃克勤強調,英特爾(Intel)率先投入FinFET制程量產,大幅提高處理器效能并降低功耗,近來在行動裝置品牌市場已有不錯成績;一旦其市占持續攀升,勢將影響高通(Qualcomm)與相關晶圓代工供應鏈的投資計劃,并加速制程研發步調,以免技術差距持續被拉大。因應此一趨勢,聯電遂傾向將資源集中在FinFET技術上,并跳過20納米制程發展以免節外生枝。 

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