根據全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，12月上旬合約價格受到現貨價格拉抬的激勵，平均漲幅約2%，下旬合約價更延續(xù)上旬上漲的氣勢，尤其是主流模組4GB的高價位價格上漲最多，達到3.17%，成交價格落在美金16.25元，與合約均價價格(美金15.75美元)的價差已經拉大到呈現0.5美元的間距，顯示不同DRAM產業(yè)五大趨勢分析

2012年對DRAM產業(yè)確實是艱困的一年，如美光正式并購爾必達、臺系DRAM廠退出或轉型代工業(yè)務，甚至價格上2Gb最低曾來到0.6美元，大部分DRAM廠商都面臨虧損；所幸危機亦帶來轉機，隨著各DRAM廠調整生產計劃，年末現貨價格大漲超過20%，合約價格亦同步反轉成上漲格局，為2013年DRAM產業(yè)帶來新的契機。總結2012年DRAM市場動態(tài)并展望2013年，TrendForce提出新的一年DRAM市場值得持續(xù)關注的五大重點趨勢如下：

1. 三星、SK海力士、美光三強鼎立，大者恒大市場趨勢確立 由于美光正式整并爾必達已在程序處理當中，整并作業(yè)預計將于今年下半年塵埃落定，美光集團營收規(guī)模將與SK海力士在伯仲之間，再加計三星的市占率，三大集團的市占率將超過90%，不光市場呈現大者恒大的趨勢，也確立DRAM市場寡占的態(tài)勢確立，三大集團各自擁有DRAM與NAND Flash的技術下，對于產品組合將可以更靈活的調配運用，在價格走勢上將更傾向寡占的市場格局，將有助于價格回歸健康面。

2. 移動內存與服務器用內存躍升市場主流，標準型內存比重持續(xù)降低

由于智能型手機與平板計算機的熱賣，TrendForce預估2013年下半年移動內存將取代標準型內存成為市場主流，LPDDR2內存仍是2013年的主流規(guī)格，緊隨著Intel Haswell芯片組的推出，移動內存將首度進軍筆記本電腦市場。同時，服務器用內存亦受惠于云端需求的興起，單機搭載容量亦有將近30%的躍升，2013年將占總產出量的20%，標準型內存在DRAM廠的策略考慮下，產出量將進一步萎縮，預估今年位元產出將較去年大幅衰減27%。

3. 20nm與30nm制程將是2013年市場主流規(guī)格，唯制程轉進趨緩是各DRAM廠共識

DRAM市場由于經歷近幾年的低檔盤旋，大部分DRAM廠都面臨大幅虧損的壓力，加上進入20nm制程以下需要購入EUV機臺，資本支出更甚浸潤式機臺(immersion scanner)，不少DRAM廠已經遞延轉進20nm以下制程的進度至明年，TrendForce預估今年DRAM廠仍將以20nm及30nm制程作為市場主流，往年動輒一年有兩個世代交替的快速轉進將不復見。

4. 臺系DRAM廠2013上半年全面退出標準型內存市場，朝利基型與代工事業(yè)轉型

去年下半年隨著南科宣布退出標準型內存市場，正式宣告臺灣品牌在標準型內存的領域結束；與華邦電子相同，南科將專注于利基型內存的生產，力晶也在去年轉型代工業(yè)務，今年開始不再生產標準型內存，瑞晶與華亞科將以代工廠的形式繼續(xù)生產標準型內存，成為新美光集團生產的支持體系。

5. 減產效應發(fā)酵，帶動2013年標準型內存價格漲價新契機

有鑒于去年下半年2Gb標準型內存價格最低來到0.6美元，部份DRAM廠紛紛啟動減產機制，加上大廠加速轉進移動內存與服務器內存，配合上PC-OEM于年末的庫存回補，去年12月現貨市場大漲逾20%，合約市場亦正式反轉成上漲格局，雖然PC需求端狀況尚不明朗，但在標準型內存供給持續(xù)短少下，2013 年標準型內存價格將持續(xù)向上、逐步恢復的趨勢將指日可待。