DC-DC轉換應用的設計人員正面臨提升功率密度的同時節省電路板空間和降低熱阻的挑戰。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)全新的中壓PowerTrench® MOSFET采用Dual Cool™封裝技術，非常適合解決這些設計難題。

            飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產品組合，這種封裝屬于業界標準引腳排列封裝，帶有頂側冷卻，適用的產品中包括40-100V中壓產品系列。硅技術的進步結合Dual Cool技術，可提供卓越的開關性能以及低結至環境熱阻，其數值比標準5mm x 6mm MLP塑封封裝低四倍。

中壓系列產品包括：40V FDMS8320LDC、60VFDMS86500DC、80V FDMS86300DC和100V FDMS86101DC。這些器件屬于同步整流MOSFET，適用于DC-DC轉換器、通信電源次級端整流和高端服務器/工作站應用。有關采用Dual Cool封裝的器件的更多信息，請訪問飛兆半導體網站：www.fairchildsemi.com/dualcool

特色及優勢：

FDMS8320LDC (40V)

·        最大R_DS(ON) = 1.1mΩ（當V_GS = 10V，ID = 44A時）

·        最大R_DS(ON) = 1.5mΩ（當V_GS = 4.5V，ID = 37A時）

FDMS86500DC (60V)

·        最大R_DS(ON) = 2.3mΩ（當V_GS = 10V，ID = 29A時）

·        最大R_DS(ON) = 3.3mΩ（當V_GS = 8V，ID = 24A時）

FDMS86300DC (80V)

·        最大R_DS(ON) = 3.1mΩ（當V_GS = 10V，ID = 24A時）

·        最大R_DS(ON) = 4.0mΩ（當V_GS = 8V，ID = 21A時）

·        具有業內最低的R_DS(ON)，在額定電壓相同的條件下，與競爭對手的解決方案相比該數值低35%左右

FDMS86101DC (100V)

• 最大R_DS(ON) = 7.5mΩ（當V_GS = 10V，I_D = 14.5A時）
• 最大R_DS(ON) = 12mΩ（當V_GS = 6V，I_D = 11.5A時）

封裝和定價信息(1000片起訂，價格單位：美元):

按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內

該系列產品中的所有器件均采用PQFN 5x6 8L封裝，定價為：

·         FDMS8320LDC (40V)：$1.09

·         FDMS86500DC (60V)：$1.16

·         FDMS86300DC (80V)：$1.16

·         FDMS86101DC (100V)：$1.09

采用Dual Cool封裝的MOSFET屬于飛兆半導體業界領先的MOSFET產品組合。空間受限型應用要求DC-DC電源的尺寸更小、電流更高，基于對這一需求的理解，飛兆半導體可量身定制獨特的結合了功能、工藝和創新封裝技術的解決方案，從而使您的電子設計與眾不同。

飛兆半導體：解決方案助您成功！

編輯注：產品的PDF 格式數據表可從此網址獲取：

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS8320LDC.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86500DC.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86101DC.pdf

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