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工研院發表超低電壓芯片技術

2012-12-26

  工研院昨(25)日發表「超低電壓芯片技術」,這項集成了臺積電65納米制程、晶心科技CPU核心芯片和中正、交通大學的電路元件,所建立的自主技術,是未來智能手持裝置關鍵技術之一,將有助于協助臺灣相關廠商,爭取未來仍有數倍成長的智能手持裝置市場。
  
  工研院資通所所長吳誠文表示,「超低電壓芯片技術」系高技術集成的系統單芯片,是目前國際研發機構與設計大廠競相發展的焦點,例如英特爾、德儀與日系半導體大廠。臺灣擁有晶圓代工、IC設計、電路元件、系統廠等完整產業鏈,當然不能在此市場缺席。
  
  超低電壓芯片是經由精密的電路設計,達到節省耗能、轉換與應用環境能源的功能,吳誠文指出,相較于傳統系統單芯片工作于1.2V的電壓,超低電壓芯片技術僅需0.6V,部份核心電路最低工作電壓甚至可達0.48V。除了適合應用于需長時間錄像的行車記錄器、環境安全監控,對于追求低功率、高效能的智能型手持裝置,更是商機無限。
  
  「超低電壓芯片技術」更有利用環境能源來發電的創新功能,甚至可利用人體散發的熱能,經由芯片放大轉換成為電能,運用的是工研院自主開發、領先世界水平的「最大功率點追蹤技術」來提升能源轉換效率。
  
  吳誠文指出,國內科技廠每年支付給國際大廠的授權金比政府的科技預算還多,唯有掌握自主技術,臺灣產業才能擺脫代工窘境。尤其智能手持裝置市場未來至少仍有2、3倍以上的成長,超低電壓芯片的高效能、低功耗將是未來產品決戰的關鍵技術。工研院也希望與內產業界合作將技術商品化,協助產業界提升價值。

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