世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布推出2兆位(Mb)高性能串口F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM存儲(chǔ)器中的一員，具有2.0 - 3.6V的寬工作電壓范圍。FM25V20具有快速訪問(wèn)、無(wú)延遲（NoDelay™）寫入、幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù)(1e14)及低功耗特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串行閃存和串行EEPROM 存儲(chǔ)器的普適型(drop-in)替代產(chǎn)品，其應(yīng)用范圍廣泛，包括工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、軍事、游戲及計(jì)算等應(yīng)用。
　　
　　Ramtron市場(chǎng)經(jīng)理Craig Taylor稱：“FM25V20可為嚴(yán)苛的數(shù)據(jù)采集應(yīng)用提供更大的非易失性存儲(chǔ)容量，并為我們現(xiàn)有的V系列F-RAM存儲(chǔ)器客戶提供升級(jí)到更高密度的簡(jiǎn)便路徑。V系列產(chǎn)品線的擴(kuò)展支持我們正在實(shí)施的提供具有低能耗和高數(shù)據(jù)完整性的存儲(chǔ)器解決方案計(jì)劃，不再具有其它非易失性存儲(chǔ)器中常見(jiàn)的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。”
　　
關(guān)于FM25V20
　　
　　FM25V20采用先進(jìn)的鐵電工藝，獲得達(dá)到100萬(wàn)億(1e14)讀/寫次數(shù)的幾乎無(wú)限的耐用性，且數(shù)據(jù)能夠可靠地保存10年。FM25V20采用快速串行外設(shè)接口(SPI)，以40MHz頻率的全速總線速率工作。其運(yùn)行消耗功率極低，具有2.0V - 3.6V的較寬工作電壓范圍、100µA的典型待機(jī)電流及3µA的睡眠模式電流。FM25V20具有串口V系列器件的標(biāo)準(zhǔn)特性，即只讀器件ID特性，使得主機(jī)能夠確定生產(chǎn)商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。FM25V20可在-40°C 至 +85°C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作，并采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的“綠色” 8腳EIAJ SOIC 和 8腳TDFN封裝供貨。
　　
關(guān)于F-RAM V系列
　　
　　Ramtron 公司的V系列F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品采用低功耗130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，包括串口I2C、串口SPI和并口存儲(chǔ)器。整個(gè)V系列F-RAM產(chǎn)品包括以下器件：
　　
V系列串口I2C F-RAM
　　FM24V10 (1Mb)
　　FM24V05 (512Kb)
　　FM24V02 (256Kb)
　　FM24V01 (128Kb)