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ARM與聯電拓展長期IP合作伙伴關系至28納米

針對先進高K金屬柵28HPM處理平臺推出全方位物理IP解決方案
2011-10-11
作者:ARM

  ARM公司與全球領先的半導體晶圓代工商聯電(NYSE:UMC; TWSE:2303)近日共同宣布達成長期合作協議,將為聯電的客戶提供已經通過聯電28HPM工藝技術驗證的ARM Artisan®物理IP解決方案。這項最新的28納米工藝技術的應用范圍極廣,包括手機與無線等便攜設備,以及數字家庭和高速網絡等高性能應用。此次合作集合了兩家公司的優勢,將為雙方的客戶提供卓越的技術與支持。
 
  ARM物理IP部門執行副總裁兼總經理Simon Segars表示:“我們很高興聯電在28HPM工藝上采用ARM Artisan物理IP。至此,雙方客戶將能夠獲得完整的先進物理IP解決方案用于實現 ARM技術,例如ARM CortexTM-A系列處理器。拓展ARM和聯電的合作關系,將加深雙方在28納米節點上的工藝技術與先進物理IP的開發方面的合作與創新,進而優化性能、功耗效率和芯片密度,并體現ARM為先進工藝節點設計提供多樣化技術平臺的承諾。”
 
  聯電客戶工程與IP研發設計支持部門副總裁S.C. Chien表示:“我們很高興能進一步拓展與ARM之間已超過10年的長期合作關系。這項由聯電贊助的發展計劃,將能夠為客戶在聯電各個先進的工藝技術上提供全方位的ARM物理IP解決方案,也有助于縮短產品在重要市場應用上的上市時間。此外,這項合作進一步凸顯了我們的承諾,將行業領先的資源,提供給采用聯電最尖端的28納米工藝節點的客戶。”
 
  聯電的gate-last 28HPM工藝技術,具有卓越的性能、超低漏電的高K金屬柵結構等特點,能夠提供多種器件電壓、記憶單元、低速或超速運行能力,可以幫助片上系統設計師實現高性能和更長的電池續航能力。聯電的28HPM工藝技術預計于2012年中期投入試產。
 

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