1、按圖5-1給定參數(shù)繪制仿真電路圖，并用信號(hào)發(fā)生器輸出方波（幅值A(chǔ)mplitude=2V、偏移Offset=2V、頻率Frequency=1KHz、占空比Duty Cycle=50%）作為激勵(lì)電壓。調(diào)整信號(hào)發(fā)生器和示波器，使之處于工作狀態(tài)。在示波器上讀出的時(shí)間常數(shù)τ值。

圖5-1 R=10KΩ、C=3300pF時(shí)的仿真波形

　　2、改變R、C的參數(shù)，使R=10KΩ、C=0.01μF，如圖5-2所示。

圖5-2R=10KΩ、C=0.01μF時(shí)的仿真波形

　　3、使用參數(shù)掃描分析（Parameter Sweep Analysis）同時(shí)觀察上述兩種情況

　　按圖5-3在【Simulate】仿真菜單中的選擇分析方法（Analysis），單擊參數(shù)掃描分析項(xiàng)（Parameter Sweep...），打開如圖5-4的對(duì)話框，在各選項(xiàng)中進(jìn)行設(shè)置后，按仿真按鈕，出現(xiàn)圖5-5所示的結(jié)果。

圖5-3仿真菜單

圖5-4 參數(shù)掃描分析對(duì)話框

圖5-5 RC電路充、放電過程的仿真

　　二、積分電路的仿真

　　按圖5-6繪制仿真電路圖，設(shè)定參數(shù)，激勵(lì)信號(hào)為方波（Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%），用示波器觀察電容電壓 波形變化的情況。繼續(xù)增大R或C值，或減小信號(hào)發(fā)生器的頻率，定性地觀察對(duì)響應(yīng) 的影響。

圖5-6積分電路的仿真

　　三、微分電路的仿真

　　按圖5-7繪制仿真電路圖，設(shè)定合適的參數(shù)進(jìn)行仿真，激勵(lì)信號(hào)為方波（Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%），用示波器觀察電阻電壓 波形變化的情況。繼續(xù)減小R或C值，定性地觀察對(duì)響應(yīng) 的影響。

圖5-7微分電路的仿真

　　四、耦合電路的仿真

　　按圖5-8繪制仿真電路圖，設(shè)定合適的參數(shù)并進(jìn)行仿真，激勵(lì)信號(hào)為方波（Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%），用示波器觀察電阻電壓 波形變化的情況。繼續(xù)增大R或C值，定性地觀察對(duì)響應(yīng) 的影響。

圖5-8耦合電路的仿真